[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111301069.4 | 申請日: | 2021-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN114203771A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙文;韓樂樂;吳國東;占小奇;許立雄 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務(wù)所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 230001 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
層疊設(shè)置的觸控層和偏光層;所述偏光層內(nèi)包括離子,所述觸控層包括多個觸控走線,每個所述觸控走線包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層,且所述第一金屬層鄰近所述偏光層設(shè)置;
其中,所述第一金屬層的化學穩(wěn)定性強于所述第二金屬層的化學穩(wěn)定性,所述第二金屬層上設(shè)置有至少一個凹槽,所述第一金屬層覆蓋所述凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在所述第一金屬層至所述第二金屬層的層疊方向上,所述凹槽貫通所述第二金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述觸控走線還包括:
第三金屬層,層疊設(shè)置于所述第二金屬層背離所述第一金屬層一側(cè);且所述第三金屬層的化學穩(wěn)定性強于所述第二金屬層的化學穩(wěn)定性,所述第一金屬層和所述第三金屬層在所述凹槽位置直接接觸;
優(yōu)選地,所述第一金屬層和所述第三金屬層的材質(zhì)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,
在垂直于所述觸控走線的長度延伸方向上,所述觸控走線包括相對設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,所述凹槽貫通所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一金屬層覆蓋并填平所述凹槽;或者,
所述第一金屬層覆蓋所述凹槽,所述第一金屬層背離所述第二金屬層的表面形成凹陷;所述觸控走線還包括填充金屬層,用于填平所述凹陷;且所述填充金屬層的化學穩(wěn)定性強于所述第二金屬層的化學穩(wěn)定性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一金屬層延伸并覆蓋所述第二金屬層的外側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
阻隔層,位于所述偏光層和所述觸控層之間,且所述阻隔層覆蓋所述第一金屬層;
優(yōu)選地,所述阻隔層的材料包括無機材料,所述無機材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一種。
8.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,
形成觸控層,所述觸控層包括多個觸控走線,每個所述觸控走線包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層;其中,所述第一金屬層的化學穩(wěn)定性強于所述第二金屬層的化學穩(wěn)定性,所述第二金屬層上設(shè)置有至少一個凹槽,所述第一金屬層覆蓋所述凹槽;
在所述第一金屬層背離所述第二金屬層的一側(cè)設(shè)置偏光層,其中,所述偏光層內(nèi)包括離子。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述形成觸控層的步驟,包括:
沉積形成所述第二金屬層,且所述第二金屬層上設(shè)置有至少一個所述凹槽;
在所述第二金屬層設(shè)置有所述凹槽的一側(cè)形成所述第一金屬層,所述第一金屬層覆蓋所述凹槽。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-7任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





