[發(fā)明專利]二級(jí)放大電路、比較電路、讀出電路及圖像傳感器電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111295629.X | 申請(qǐng)日： | 2021-11-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114025112B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡化;陳正;高菊;陳飛;芮松鵬;夏天 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H04N25/76 | 分類號(hào)： | H04N25/76;H04N25/78 |
| 代理公司： | 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黃海霞 |
| 地址： | 610399 四川省成都市高新區(qū)和樂(lè)二*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二級(jí) 放大 電路 比較 讀出 圖像傳感器 | ||
本發(fā)明提供了一種二級(jí)放大電路，包括二級(jí)放大單元和漏電補(bǔ)償單元，所述二級(jí)放大單元包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一電容，所述漏電補(bǔ)償單元與所述第一電容連接，用于與所述第一電容共享電荷，以補(bǔ)償所述第一電容因漏電流流失的電荷，能夠有效的降低漏電流對(duì)電路的影響。本發(fā)明還提供了一種比較電路、讀出電路及圖像傳感器電路。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種二級(jí)放大電路、比較電路、讀出電路及圖像傳感器電路。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器(CMOS?image?sensor，CIS)結(jié)構(gòu)中，列級(jí)ADC比較器的第二級(jí)復(fù)位管的漏電會(huì)導(dǎo)致ADC比較器輸出翻轉(zhuǎn)發(fā)生偏移，使最終ADC轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)發(fā)生變化。
每一列ADC比較器的第二級(jí)復(fù)位管由于加工工藝的不一致，其尺寸、閾值電壓的微弱偏差會(huì)使漏電也存在偏差，該偏差將導(dǎo)致不同列ADC比較器輸出數(shù)據(jù)的偏差，從而導(dǎo)致在圖像上形成視覺(jué)可見(jiàn)的暗條紋。
因此，有必要提供一種新型的二級(jí)放大電路、比較電路、讀出電路及圖像傳感器電路以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種二級(jí)放大電路、比較電路、讀出電路及圖像傳感器電路，以降低漏電流對(duì)電路的影響。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的所述二級(jí)放大電路，包括：
二級(jí)放大單元，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一電容，所述第一PMOS管的源極連接工作電壓，所述第一PMOS管的柵極用于接收比較器的一級(jí)放大單元的輸出信號(hào)，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的柵極與所述第二NMOS管源極和所述第一電容的一端連接，所述第一電容的另一端接地，所述第二NMOS管的柵極用于接收第一控制信號(hào)；以及
漏電補(bǔ)償單元，與所述第一電容連接，用于與所述第一電容共享電荷，以補(bǔ)償所述第一電容因漏電流流失的電荷。
所述二級(jí)放大電路的有益效果在于：漏電補(bǔ)償單元與所述第一電容連接，用于與所述第一電容共享電荷，以補(bǔ)償所述第一電容因漏電流流失的電荷，能夠有效的降低漏電流對(duì)電路的影響。
優(yōu)選地，所述漏電補(bǔ)償單元包括第三NMOS管、第四NMOS管和第二電容，所述第三NMOS管的漏極連接工作電壓，所述第三NMOS管的柵極用于接收第二控制信號(hào)，所述第三NMOS管的源極連接所述第四NMOS管的源極和所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端接地，所述第四NMOS管的漏極與所述第二電容的一端連接，所述第四NMOS管的柵極用于接收第三控制信號(hào)。其有益效果在于：能夠有效的補(bǔ)償所述第一電容因漏電流流失的電荷。
本發(fā)明還提供了一種比較電路，應(yīng)用于CMOS圖像傳感器，包括：
二級(jí)放大電路；以及
一級(jí)放大單元，包括電流鏡電路、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三電容和第四電容，所述第五NMOS管的漏極和所述第六NMOS管的漏極分別與所述電流鏡電路的兩個(gè)電流輸出端連接，所述第五NMOS管的柵極與所述第三電容的一端連接，所述第三電容的另一端用于接收斜波信號(hào)，所述第六NMOS管的柵極連接所述第四電容的一端，所述第四電容的另一端用于接收像素信號(hào)，所述第五NMOS管的源極和所述第六NMOS管的源極均與所述第七NMOS管的漏極連接，所述第七NMOS管的源極接地，所述第七NMOS管的柵極用于接收第四控制信號(hào)，所述第六NMOS管的漏極還與所述二級(jí)放大電路連接，以向所述二級(jí)放大電路輸出數(shù)據(jù)。
所述比較電路的有益效果在于：包括二級(jí)放大電路，能夠有效的降低漏電流對(duì)電路的影響。
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