[發(fā)明專利]微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111294159.5 | 申請日: | 2021-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN114156623B | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱舫;趙鑫;吳云飛;羅國清 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H01P5/18 | 分類號: | H01P5/18 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 朱亞冠 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波 毫米波 雙頻 獨立 設(shè)計 高頻 定向耦合器 | ||
1.一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,為雙軸對稱結(jié)構(gòu),其特征在于包括:
第一介質(zhì)基板;
第二介質(zhì)基板,位于所述第一介質(zhì)基板的下方;
中間層金屬地,位于所述第一介質(zhì)基板和所述第二介質(zhì)基板之間;
底層金屬地,位于所述第二介質(zhì)基板的底層;
工作在微波頻帶的分支線耦合器,位于所述第一介質(zhì)基板的頂層;
雙頻耦合器端口,位于所述第一介質(zhì)基板的頂層;
饋電微帶線,位于所述第一介質(zhì)基板的頂層;
低通濾波器,位于所述第一介質(zhì)基板的頂層;
工作在毫米波頻帶的SIW定向耦合器,位于分支線耦合器的下方;
其中,所述中間層金屬地開有四個耦合縫隙;四個耦合縫隙分別處于四條饋電微帶線的正下方相對位置,即耦合縫隙位于雙頻耦合器端口與低通濾波器之間位置的下方;且四個耦合縫隙位于SIW定向耦合器的4個端口內(nèi)相對位置;
每個耦合縫隙與最近距離低通濾波器的距離
耦合縫隙長度
所述分支線耦合器的輸入端口、輸出端口、耦合端口、隔離端口各自與一個低通濾波器的一端連接;低通濾波器的另一端與饋電微帶線的一端連接,饋電微帶線的另一端作為雙頻耦合器端口;
所述微波頻段信號通過分支線耦合器,所述毫米波頻段信號通過SIW定向耦合器,然后微波頻段信號和毫米波頻段信號通過耦合縫隙耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,其特征在于所述分支線耦合器包括一對平行設(shè)置的水平向微帶線、一對平行設(shè)置的縱向微帶線、輸入端口、輸出端口、耦合端口、隔離端口;由所述一對平行設(shè)置的水平向微帶線和所述一對平行設(shè)置的縱向微帶線圍合成一個封閉式的矩形結(jié)構(gòu);其中一個水平向微帶線和相鄰縱向微帶線的交接處構(gòu)成輸入端口、輸出端口、耦合端口、隔離端口中的一個端口。
3.如權(quán)利要求2所述的一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,其特征在于水平向微帶線、縱向微帶線的電長度均為低頻帶中心頻率對應的四分之一波長。
4.如權(quán)利要求2所述的一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,其特征在于饋電微帶線采用50歐姆微帶線,水平向微帶線的寬度
5.如權(quán)利要求1所述的一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,其特征在于分支線耦合器的中心頻率為2.4GHz,SIW定向耦合器的中心頻率為28GHz。
6.如權(quán)利要求1所述的一種微波毫米波雙頻帶獨立設(shè)計的高頻比定向耦合器,其特征在于所述低通濾波器為三階階梯阻抗濾波器,包括第一阻抗微帶線、第二阻抗微帶線、中間阻抗微帶線、第一輸入輸出饋線、第二輸入輸出饋線;第一阻抗微帶線、第二阻抗微帶線平行設(shè)置,中間阻抗微帶線與第一阻抗微帶線、第二阻抗微帶線垂直設(shè)置,中間阻抗微帶線的兩端分別與第一阻抗微帶線、第二阻抗微帶線的中點連接,第一阻抗微帶線、第二阻抗微帶線的中點分別再接第一輸入輸出饋線、第二輸入輸出饋線;第一輸入輸出饋線接分支線耦合器的輸入端口、輸出端口、耦合端口、隔離端口中的一個端口,第二輸入輸出饋線接饋電微帶線。
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