[發(fā)明專利]一種硬掩膜組合物及其制備方法、形成圖案的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111287837.5
• 申請(qǐng)日: 2021-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113960882A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王靜;毛鴻超;宋里千
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門(mén)恒坤新材料科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/11
• 分類號(hào): G03F7/11;G03F7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 龔素素

1.一種硬掩膜組合物，其特征在于，所述硬掩膜組合物中包含聚合物，所述聚合物為由化學(xué)式1表示的重復(fù)單元：

其中，R₁選自氫原子或碳原子數(shù)為1～10的一價(jià)取代基；R₂、R₃各自獨(dú)立地選自氫原子或碳原子數(shù)為1-18的有機(jī)基團(tuán)；m為1-3之間任意整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜組合物，其特征在于，R₁選自碳原子數(shù)為1～10的一價(jià)取代烷基；

當(dāng)R₂、R₃各自獨(dú)立地選自碳原子數(shù)為1-18的有機(jī)基團(tuán)，所述碳原子數(shù)為1-18的有機(jī)基團(tuán)包括：烷基、苯基、包含取代基的苯基、萘基、包含取代基的萘基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜組合物，其特征在于，R₁為氫原子，R₂、R₃各自獨(dú)立地選自苯基或萘基，m為1或2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜組合物，其特征在于，所述聚合物的中均分子量為500～10000。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜組合物，其特征在于，所述硬掩膜組合物中還包含溶劑；

所述溶劑包括丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、環(huán)己酮及乳酸乙酯中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硬掩膜組合物，其特征在于，所述硬掩膜組合物中還包含表面活性劑；

所述表面活性劑包括聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯烷基芳基醚類、失水山梨糖醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯類中的任意一種或兩種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬掩膜組合物，其特征在于，以所述硬掩膜組合物的總量計(jì)，所述聚合物的質(zhì)量占比為4％～25％，所述表面活性劑的質(zhì)量占比0.01％～0.1％，所述溶劑的質(zhì)量占比75～95.6％。

8.權(quán)利要求1中所述硬掩膜組合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法為：

取所述聚合物與溶劑混合，所述聚合物的質(zhì)量占比為4％～25％，溶劑的質(zhì)量占比75～95.6％。

9.一種形成圖案的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在基板上提供材料層；

將權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的硬掩膜組合物施加在所述材料層上；

熱處理所述硬掩膜組合物以形成硬掩膜；

在所述硬掩膜上形成含硅薄層；

在所述含硅薄層上形成光刻膠抗蝕層；

將所述光刻膠抗蝕層曝光并顯影以形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案選擇性去除所述含硅薄層和所述硬掩膜以暴露所述材料層的一部分；

刻蝕所述材料層的暴露部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，其中形成硬掩膜的方法為：

將所述硬掩膜組合物以溶液形式旋涂在所述材料層上，在200℃到500℃下對(duì)所述硬掩膜組合物進(jìn)行熱處理，熱處理時(shí)間約為10秒到10分鐘，以形成硬掩膜。