[發明專利]一種采用碳化鋯籽晶制備碳化鋯晶須的方法在審
| 申請號: | 202111287782.8 | 申請日: | 2021-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN114032607A | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發明(設計)人: | 成來飛;葉昉;魏玉聰;張立同 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | C30B1/10 | 分類號: | C30B1/10;C30B29/62;C30B29/36 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 碳化 籽晶 制備 鋯晶須 方法 | ||
本發明涉及一種采用碳化鋯籽晶制備碳化鋯晶須的方法,為了解決目前方法制備的碳化鋯晶須頂端含有金屬催化劑、晶須尺寸不可控、形貌較差等問題,本發明提出一種不使用金屬催化劑,使用碳化鋯籽晶生長碳化鋯晶須的方法。本發明的技術方案為將碳化鋯籽晶與反應物粉末混合,并在高溫下通過碳熱還原反應合成碳化鋯晶須,通過改變碳化鋯籽晶的尺寸和含量可有效調控碳化鋯晶須的尺寸。本發明的有益效果是通過本方法制備的碳化鋯晶須不含金屬催化劑、尺寸可控、形貌直立且為標準四棱柱狀、分布均勻、純度高。本發明制備的碳化鋯晶須可以作為陶瓷基、金屬基和樹脂基復合材料的增強相,也可用于超硬陶瓷、電極材料、核電材料等領域。
技術領域
本發明屬于新材料的制備技術領域,涉及一種采用碳化鋯籽晶制備碳化鋯晶須的方法。
背景技術
碳化鋯(ZrC)陶瓷是超高溫陶瓷材料的一種,具有熔點高(3540℃左右)、強度高、硬度高、模量高、抗燒蝕性良好,導熱和導電性好等特點。碳化鋯陶瓷在熱防護、熱結構材料、超硬陶瓷、電極材料、核電材料等領域具有廣闊的應用前景。碳化鋯晶須不僅具有碳化鋯陶瓷優異的本征性能,還因其一維單晶結構而具有接近理論極限的超高強度。碳化鋯晶須是一種理想的復合材料增強體,可以廣泛地應用于陶瓷基、金屬基和樹脂基復合材料中,提高復合材料的力學性能、導電性能、導熱性能、電磁性能等。目前,制備碳化鋯晶須的方法主要有碳熱還原法和化學氣相沉積法。在已報道的眾多碳化鋯晶須制備方法中,大多數方法都要引入金屬催化劑(Fe、Co、Ni、Ni(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2等)以實現碳化鋯的一維生長,由此制備得到具有一維單晶結構的碳化鋯晶須。
如文獻“Study on the synthesis and growth mechanisms of the refractoryZrC whiskers,Liang Xu,Chuanzhen Huang,Hanlian Liu,Bin Zou,Hongtao Zhu,GuolongZhao,Jun Wang.Int.Journal of Refractory Metals and Hard Materials,2014,42:116-119.”提到以氧化鋯、碳黑、氟化鈉為原料,以金屬Ni顆粒為催化劑,用碳熱還原法制備碳化鋯晶須。該方法制備的晶須為單晶結構,晶須頂端存在催化劑Ni顆粒,晶須長徑比較小、晶須產量較低、尺寸難以控制。專利“一種采用化學氣相沉積法制備碳化鋯晶須的方法(CN111549378A)”公布了一種以ZrCl4-CH4(C3H6)-H2-Ar為反應物體系,以Ni(NO3)2為催化劑,采用化學氣相沉積法制備碳化鋯晶須的方法。該方法制備的晶須純度較高、形貌較好,晶須頂端也存在較大的催化劑Ni顆粒。文獻“In-situ homogeneous growth of ZrCnanowires on carbon cloth and their effects on flexural properties of carbon/carbon composites,Ningning Yan,Xiaohong Shi,Kun Li,Qiangang Fu,Wei Xie,Hongrui Zhang,Qiang Song.Composites Part B,2018,154:200-208.”公開了一種以前驅體熱解在碳布上合成碳化鋯晶須的方法。該方法采用碳化鋯前驅體為鋯源和碳源,以Ni(NO3)2·6H2O為催化劑制備出了碳化鋯晶須。該方法制備的晶須形貌卷曲、產量較低,晶須頂端仍存在催化劑Ni顆粒。
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