[發明專利]一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構在審
| 申請號： | 202111285439.X | 申請日： | 2021-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN113964649A | 公開（公告）日： | 2022-01-21 |
| 發明（設計）人： | 鄢靜舟;薛婷;楊奕;糜東林 | 申請（專利權）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京君有知識產權代理事務所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦麗雅 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 垂直 發射 激光器 外延 結構 | ||
1.一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，所述外延結構包括襯底，其特征在于：
在所述襯底上依次布置MOCVD沉積緩沖層、第一N型摻雜分布式布拉格反射層、多級聯有源區、第二隧穿結、第二N型摻雜分布式布拉格反射層和歐姆接觸層；
所述襯底為GaAs或者InP襯底；
所述GaAs或者InP為N型摻雜且摻雜濃度在 數量級；
并且，所述GaAs襯底的N型摻雜原子為Si，所述InP襯底的N型摻雜原子為S；
所述第一N型摻雜分布式布拉格反射層和所述第二N型摻雜分布式布拉格反射層由至少兩種半導體材料疊加形成。
2.如權利要求1所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述多級聯有源區通過第一隧穿結對有源區進行級聯。
3.如權利要求1所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述第一隧穿結和第二隧穿結均由P型重摻層和N型重摻層構成。
4.如權利要求3所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述P型重摻層與N型重摻層摻雜濃度為 ~ 數量級。
5.如權利要求3所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述P型重摻層厚度范圍為8-50 nm，所述N型重摻層厚度范圍為10-50 nm。
6.如權利要求1-5任一項所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述外延結構的發光區材料的折射率值大于發光區兩邊材料的折射率值。
7.如權利要求1-5任一項所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述歐姆接觸層材料包括GaAs、InGaAs或InP。
8.如權利要求1-5任一項所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述歐姆接觸層為P摻雜，且摻雜濃度在 ~ 數量級。
9.如權利要求8所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述歐姆接觸層厚度范圍為10-300 nm。
10.如權利要求1或3-5任一項所述的一種高功率垂直腔面發射激光器的外延結構，其特征在于：
所述第二隧穿結孔徑范圍為4-500 μm。
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