[發(fā)明專利]一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111283933.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113872583A | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡永翔;肖小兵;付宇;楊安黔;何洪流;劉安茳;徐長(zhǎng)寶;文賢馗;張銳鋒;趙霜霜;鄭友卓;郝樹青;李躍;張恒榮;苗宇;吳鵬;李前敏;張洋;王卓月;柏毅輝;李忠;安波;黃偉;郭素 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 貴州電網(wǎng)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/567 | 分類號(hào): | H03K17/567;H03K17/725 |
| 代理公司: | 貴陽(yáng)中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100 | 代理人: | 商小川 |
| 地址: | 550002 貴*** | 國(guó)省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具備 頻繁 能力 調(diào)壓 開關(guān) 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,它包括:
步驟1、高壓側(cè)調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì):調(diào)容變壓器進(jìn)行大小容量的調(diào)容操作時(shí),對(duì)調(diào)容開關(guān)的耐壓要求高;因此以通過設(shè)計(jì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)而增加器件的耐壓水平以及降低所需成本作為設(shè)計(jì)原則設(shè)計(jì)高壓側(cè)調(diào)容開關(guān);
步驟2、低壓側(cè)調(diào)容調(diào)壓開關(guān)設(shè)計(jì):調(diào)容變壓器進(jìn)行大小容量的調(diào)容操時(shí)作,低壓側(cè)電壓等級(jí)低,所需調(diào)容開關(guān)的耐壓要求低,因此設(shè)計(jì)雙SCR結(jié)構(gòu)作為低壓側(cè)調(diào)容調(diào)壓開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:所述高壓側(cè)調(diào)容開關(guān)由兩個(gè)功率二極管、兩個(gè)IGBT和兩個(gè)均壓電阻組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:高壓側(cè)調(diào)容開關(guān)工作原理為:I1、I2同時(shí)導(dǎo)通,當(dāng)電流從左往右流動(dòng)時(shí),由于G1反向截止電流經(jīng)I1-G2流過;當(dāng)電流從右往左流動(dòng)時(shí),由于G2反向截止電流經(jīng)I2-G1流過。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:所述功率二極管是在PN結(jié)上加裝引線以及封裝形成的,具有單向?qū)щ娦浴?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:所述IGBT是由MOSFET和GTR復(fù)合而成的電力電子開關(guān)器件,開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓決定,電壓為正且大于開啟電壓則開通,電壓為負(fù)或不加電壓時(shí)則關(guān)斷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:雙SCR結(jié)構(gòu)為二個(gè)晶閘管反向并聯(lián)組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種具備頻繁開斷能力的調(diào)壓調(diào)容開關(guān)設(shè)計(jì)方法,其特征在于:所述晶閘管是三端半導(dǎo)體器件,3個(gè)極分別為陽(yáng)極A 、陰極K 和門極G;當(dāng)晶閘管外加正向電壓時(shí),如果門極也加上足夠的正向電壓,兩只管子迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài),晶閘管由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)晶閘管陽(yáng)極與陰極之間外加正向電壓時(shí)為晶閘管正向阻斷狀態(tài);當(dāng)晶閘管陽(yáng)極與陰極之間外加反向電壓時(shí)為晶閘管反向阻斷狀態(tài)。
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