[發(fā)明專利]一種手性光學(xué)元件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111283211.7 | 申請日： | 2021-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN113885118A | 公開（公告）日： | 2022-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈清;李旭光 | 申請（專利權(quán)）人： | 覺芯電子（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 手性 光學(xué) 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種手性光學(xué)元件，其特征在于，包括：基底(1)和至少一個手性超結(jié)構(gòu)單元(2)；
所述至少一個手性超結(jié)構(gòu)單元(2)位于所述基底(1)上方；
單個所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)包括至少一個斐波那契螺旋線子單元(21)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，在單個所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)包括至少兩個斐波那契螺旋線子單元(21)的情況下，所述斐波那契螺旋線子單元(21)的終點相交。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，單個所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)包括奇數(shù)個或偶數(shù)個所述斐波那契螺旋線子單元(21)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)為金屬膜線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，所述斐波那契螺旋線子單元(21)的線寬為10-30nm，厚度為100-200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)的材質(zhì)包括金、銀、鋁和銅中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，在所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)包括一個斐波那契螺旋線子單元(21)的情況下，所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)的大徑為200-300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，在所述手性超結(jié)構(gòu)單元(2)包括兩個斐波那契螺旋線子單元(21)的情況下，所述手性超結(jié)構(gòu)單元的大徑為400-600nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手性光學(xué)元件，其特征在于，所述基底(1)為石英基底、硅基底或鍺基底。
10.一種用于制備如權(quán)利要求1～9任一項所述的手性光學(xué)元件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
對所述基底(1)進(jìn)行清洗；
在清洗后的所述基底(1)上涂布光刻膠；
提供一個光刻板，在所述光刻板上有至少一個手性超結(jié)構(gòu)單元(2)的預(yù)設(shè)圖案，所述預(yù)設(shè)圖案包括至少一條斐波那契螺旋線；
所述光刻板設(shè)置于所述基底(1)的涂布光刻膠的一側(cè)的上方，對所述基底(1)的涂布光刻膠的一側(cè)進(jìn)行金屬材料濺射所述預(yù)設(shè)圖案，以在所述基底(1)上形成所述至少一個手性超結(jié)構(gòu)單元(2)；
去除所述基底(1)上的殘余光刻膠，得到所述手性光學(xué)元件。
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