[發明專利]一種InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構在審
| 申請號： | 202111279069.9 | 申請日： | 2021-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN114039273A | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 錢廣;唐杰;周奉節;孔月嬋;姜文海;陳堂勝 | 申請（專利權）人： | 南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/026 | 分類號： | H01S5/026;H01S5/22 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 陳鵬 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市秦淮區永*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 inp 激光器 薄膜 鈮酸鋰光 波導 集成 結構 | ||
1.一種InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構，其特征在于，包括自上而下依次設置的激光器外延層薄膜(1)、耦合層(2)、薄膜鈮酸鋰光波導(3)和襯底(4)；
所述InP基激光器外延層薄膜(1)包括上摻雜層(1-1)、量子阱層(1-2)和下摻雜層(1-3)，下摻雜層(1-3)出光端面為錐形結構；
所述薄膜鈮酸鋰光波導(3)包括自上而下設置的薄膜鈮酸鋰光波導芯層(3-1)和薄膜鈮酸鋰光波導下包層(3-2)；
所述InP基激光器外延層薄膜(1)通過耦合層(2)集成于薄膜鈮酸鋰光波導芯層(3-1)正上方，激光器輸出光通過倏逝波耦合機制耦合進入其正下方的薄膜鈮酸鋰光波導(3)中傳輸。
2.根據權利要求1所述的InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構，其特征在于，所述上摻雜層(1-1)為P型摻雜層、下摻雜層(1-3)為N型摻雜層。
3.根據權利要求1所述的InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構，其特征在于，所述上摻雜層(1-1)為N型摻雜層、下摻雜層(1-3)為P型摻雜層。
4.根據權利要求2或3所述的InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構，其特征在于，所述薄膜鈮酸鋰光波導芯層(3-1)為脊型光波導結構，薄膜鈮酸鋰光波導芯層(3-1)兩側含有薄膜鈮酸鋰平板層。
5.根據權利要求2或3所述的InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導異質集成結構，其特征在于，所述薄膜鈮酸鋰光波導芯層(3-1)為矩形光波導結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司，未經南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111279069.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
