[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體管背板

在審

• 申請號: 202111277482.1
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114005841A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 黃杰;寧策;李正亮;胡合合;賀家煜;姚念琦;趙坤;李菲菲;王東方;雷利平
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 項京;丁蕓

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管TFT背板，其特征在于，所述金屬氧化物TFT背板包括：

第一金屬氧化物TFT和第二金屬氧化物TFT；

所述第一金屬氧化物TFT，包括具有第一遷移率的第一有源層，所述第一有源層包含第一金屬氧化物薄膜；

所述第二金屬氧化物TFT，包括具有第二遷移率的第二有源層，所述第二有源層包含第二金屬氧化物薄膜，所述第二遷移率小于所述第一遷移率。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物TFT背板，其特征在于，所述第一遷移率和第二遷移率的差值至少不低于10。

3.根據權利要求1所述的TFT背板，其特征在于，

所述第一金屬氧化物薄膜為至少一層金屬氧化物半導體層；

所述第二金屬氧化物薄膜為至少一層金屬氧化物半導體層。

4.根據權利要求1所述的TFT背板，其特征在于，所述第一有源層由單層第一金屬氧化物薄膜構成；

所述第二有源層，由單層第二金屬氧化物薄膜構成；

所述第二金屬氧化物薄膜包含IGZO；

所述第一金屬氧化物薄膜為遷移率15-20cm²/Vs以上的金屬氧化物半導體材料形成。

5.根據權利要求1所述的TFT背板，其特征在于，所述第一有源層由多個金屬氧化物薄膜疊層構成；

所述第二有源層，由單層金屬氧化物薄膜構成；

所述第二有源層的金屬氧化薄膜與所述多個金屬氧化物薄膜中的其中一層為同一層金屬氧化物膜層圖案化形成。

6.根據權利要求1-5任一所述的TFT背板，其特征在于，所述第一有源層包含銦、鎵、鋅、錫、鎢、鉭以及鑭系元素中至少兩種金屬組成的金屬氧化物；

所述第二有源層包含銦、鎵、鋅中至少兩種金屬組成的金屬氧化物。

7.根據權利要求1所述的TFT背板，其特征在于，所述第一金屬氧化物TFT和第二金屬氧化物TFT為柵極驅動電路中的TFT，所述第一金屬氧化物TFT為控制柵極驅動電路輸出端輸出信號的驅動TFT，所述第二金屬氧化物TFT為控制柵極驅動電路下拉節點的開關TFT。

8.根據權利要求1所述的TFT背板，其特征在于，所述第一有源層溝道區的載流子遷移率不低于預設載流子遷移率閾值；

所述第二有源層的溝道區的載流子遷移率不高于所述預設載流子遷移率閾值；

其中，所述預設載流子遷移率閾值屬于15-30cm²/Vs。

9.根據權利要求1所述的金屬氧化物TFT背板，其特征在于，所述第一金屬氧化物TFT為GOA電路中的至少部分TFT，所述第二金屬氧化物TFT為顯示區域的開關TFT，所述至少部分TFT包含控制信號輸出的驅動TFT。