[發明專利]晶粒尺寸的測量方法

在審

• 申請號: 202111276187.4
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN113990769A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 孫洪福;丁同國;羅錕
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，包括：

提供多個參考薄膜，獲取所有所述參考薄膜的反射率及晶粒尺寸；

利用所有所述參考薄膜的反射率及對應的晶粒尺寸，建立所述參考薄膜的反射率與晶粒尺寸的映射關系；以及，

提供待測薄膜，獲取所述待測薄膜的反射率，并根據所述映射關系得到所述待測薄膜的晶粒尺寸。

2.如權利要求1所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，獲取所述參考薄膜的反射率的步驟包括：

選取所述參考薄膜的表面上的若干第一參考點；

將一光束依次入射至所述第一參考點上，獲取每個所述第一參考點反射的光束，以得到每個所述第一參考點的反射率；以及，

將所有所述第一參考點的反射率的均值作為所述參考薄膜的反射率；和/或，

獲取所述待測薄膜的反射率的步驟包括：

選取所述待測薄膜的表面上的若干第二參考點；

將一光束依次入射至所述第二參考點上，獲取每個所述第二參考點反射的光束，以得到每個所述第二參考點的反射率；以及，

將所有所述第二參考點的反射率的均值作為所述待測薄膜的反射率。

3.如權利要求2所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，每個所述參考薄膜選取的第一參考點的位置相對應。

4.如權利要求2所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，獲取所述參考薄膜的晶粒尺寸的步驟包括：

利用電子顯微鏡獲取所述參考薄膜的表面圖像；

在所述表面圖像上畫至少一條穿過所述表面圖像的中心的參考線，測量位于每條所述參考線上的所有晶粒的尺寸；以及，

根據每條所述參考線上的所有晶粒的尺寸得到每條所述參考線上的晶粒的尺寸的均值，根據每條所述參考線上的晶粒的尺寸的均值得到所述表面圖像中的晶粒的尺寸的均值，所述表面圖像中的晶粒的尺寸的均值作為所述參考薄膜的晶粒尺寸。

5.如權利要求4所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所有所述第一參考點均位于所述參考線上。

6.如權利要求2所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所述第一參考點沿所述參考薄膜的中心對稱分布。

7.如權利要求2所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所述第一參考點和所述第二參考點的位置相對應。

8.如權利要求1所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所述映射關系為表征所述參考薄膜的反射率與晶粒尺寸關系的曲線圖。

9.如權利要求1所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所述參考薄膜和所述待測薄膜的材料、制備工藝以及制備工藝的參數均相同。

10.如權利要求9所述的晶粒尺寸的測量方法，其特征在于，所述參考薄膜和所述待測薄膜的材料均為金屬。