[發(fā)明專利]分柵式閃存存儲器的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111276183.6
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN113990876A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫旭軒;陳莉芬;李秀然;劉宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成浮柵層和字線，所述字線貫穿所述浮柵層；

刻蝕所述浮柵層以形成浮柵尖端，所述浮柵尖端形成于所述浮柵層遠(yuǎn)離所述字線的頂角處；以及，

對所述浮柵層進行氧化處理，以使所述浮柵尖端圓滑化。

2.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述浮柵層的形成方法包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成浮柵材料層和硬掩膜層，所述硬掩膜層中具有暴露出部分所述浮柵材料層的第一開口；

以所述硬掩膜層為掩膜刻蝕暴露出的部分厚度的所述浮柵材料層，以使所述浮柵材料層的頂表面呈圓弧形；

形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層覆蓋所述第一開口的側(cè)壁；以及，

以所述側(cè)墻層和所述硬掩膜層為掩膜，刻蝕暴露出的所述浮柵材料層以形成所述浮柵層。

3.如權(quán)利要求2所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述浮柵尖端的形成方法包括：

去除所述硬掩膜層，以暴露出所述浮柵層；

以所述側(cè)墻層為掩膜刻蝕所述浮柵層，以形成所述浮柵尖端。

4.如權(quán)利要求2所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述側(cè)墻層的材質(zhì)為氧化硅和/或氮氧化硅。

5.如權(quán)利要求2所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述浮柵層中具有與所述第一開口連通的第二開口。

6.如權(quán)利要求5所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述浮柵層之后，在形成所述字線之前，還包括：形成遂穿氧化層，所述遂穿氧化層覆蓋所述第二開口的側(cè)壁和底壁并延伸覆蓋所述側(cè)墻層，且所述遂穿氧化層中具有第三開口。

7.如權(quán)利要求6所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述字線填充所述第三開口，且所述字線的頂表面與所述側(cè)墻層的頂表面平齊，或者，所述字線的頂表面低于所述側(cè)墻層的頂表面。

8.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述氧化處理包括熱氧化工藝和/或原位水汽生成工藝。

9.如權(quán)利要求8所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述熱氧化工藝的工藝氣體包括氧氣，工藝溫度為500℃～1200℃；所述原位水汽生成工藝的氣體包括氫氣與氧氣，工藝溫度為800℃～1100℃。

10.如權(quán)利要求1所述的分柵式閃存存儲器的制造方法，其特征在于，所述浮柵層與所述半導(dǎo)體襯底之間還形成有浮柵氧化層。