[發明專利]基于雙卷積模塊的水印去除方法、裝置、設備和存儲介質

在審

• 申請號: 202111275701.2
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114119329A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 李彤;馮丙文;蔡東洪;魏凱敏;劉志全
• 申請（專利權）人: 暨南大學
• 主分類號: G06T1/00
• 分類號: G06T1/00;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 李君

1.一種基于雙卷積模塊的水印去除方法，其特征在于，所述方法包括：

將帶水印圖案的待處理圖像輸入多任務水印分割網絡，輸出初步去除水印的第一圖像和水印掩碼；

將所述第一圖像和所述水印掩碼輸入基于雙卷積模塊的主干網絡，輸出優化后的去除水印的圖像；其中，所述雙卷積模塊包括卷積模塊和部分卷積模塊，利用所述部分卷積模塊更新輸入掩碼，通過像素級求和將卷積模塊和部分卷積模塊輸出的特征進行結合。

2.根據權利要求1所述的水印去除方法，其特征在于，所述主干網絡采用Unet架構，包括n個下采樣雙卷積殘差塊、基于雙卷積模塊的空洞卷積塊和n個上采樣雙卷積殘差塊，其中，n為大于或等于3的正整數；

所述將所述第一圖像和所述水印掩碼輸入基于雙卷積模塊的主干網絡，輸出優化后的去除水印的圖像，具體包括：

當i為1時，將所述第一圖像和所述水印掩碼輸入第i個下采樣雙卷積殘差塊，輸出第i個下采樣圖像和第i個下采樣水印掩碼；

當i為大于1且小于或等于n的正整數時，將第i-1個下采樣圖像和第i-1個下采樣水印掩碼輸入第i個下采樣雙卷積殘差塊，輸出第i個下采樣圖像和第i個下采樣水印掩碼；

將第n個下采樣圖像和第n個下采樣水印掩碼輸入所述空洞卷積塊，輸出采樣圖像和采樣水印掩碼；

當j為1時，將上采樣圖像、第n-j個下采樣圖像以及上采樣水印掩碼、第n-j個下采樣水印掩碼輸入第j個上采樣雙卷積殘差塊，輸出第j個上采樣圖像和第j個上采樣水印掩碼；其中，所述上采樣圖像為所述采樣圖像，所述上采樣水印掩碼為所述采樣水印掩碼；

當j為大于1且小于n時，將上采樣圖像、第n-j個下采樣圖像以及上采樣水印掩碼、第n-j個下采樣水印掩碼輸入第j個上采樣雙卷積殘差塊，輸出第j個上采樣圖像和第j個上采樣水印掩碼；其中，所述上采樣圖像為第j-1個上采樣圖像，所述上采樣水印掩碼為第j-1個上采樣水印掩碼；

當j為n時，將第j-1個上采樣圖像、所述第一圖像以及第j-1個上采樣水印掩碼、所述水印掩碼輸入第j個上采樣雙卷積殘差塊，輸出第j個上采樣圖像和第j個上采樣水印掩碼；

所述第j個上采樣圖像即為優化后的去除水印的圖像。

3.根據權利要求2所述的水印去除方法，其特征在于，所述下采樣雙卷積殘差塊和所述上采樣雙卷積殘差塊均包括m個雙卷積模塊，所述雙卷積模塊采用殘差連接；m為大于或等于2的正整數。

4.根據權利要求3所述的水印去除方法，其特征在于，除了第一個下采樣雙卷積殘差塊，其余下采樣雙卷積殘差塊還包括最大池化層，通過所述最大池化層實現特征的下采樣；

所述將第i-1個下采樣圖像和第i-1個下采樣水印掩碼輸入第i個下采樣雙卷積殘差塊，輸出第i個下采樣圖像和第i個下采樣水印掩碼；具體包括：

當k為1時，將第i-1個下采樣圖像和第i-1個下采樣水印掩碼輸入第k個雙卷積模塊，輸出第k個輸出特征和第k個輸出掩碼；將所述第k個輸出特征和第i-1個下采樣圖像進行像素求和，得到第k個求和特征；將所述第k個輸出掩碼和第i-1個下采樣水印掩碼進行像素求和，得到第k個求和掩碼；

當k為大于1且小于或等于m時，將第k-1個求和特征和第k-1個求和掩碼輸入第k個雙卷積模塊，輸出第k個輸出特征和第k個輸出掩碼；將所述第k個輸出特征和第k-1個求和特征進行像素求和，得到第k個求和特征；將所述第k個輸出掩碼和第k-1個求和掩碼進行像素求和，得到第k個求和掩碼；

將第m個求和特征和第m個求和掩碼輸入最大池化層，輸出第i個下采樣圖像和第i個下采樣水印掩碼。