[發明專利]顯示基板以及顯示裝置在審
| 申請號: | 202111274847.5 | 申請日: | 2021-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN114005861A | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 于天成 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 以及 顯示裝置 | ||
本公開提供一種顯示基板以及顯示裝置,屬于顯示技術領域。本公開提供一種顯示基板,其包括:襯底基板、設置在襯底基板上的多個發光單元、設置在多個發光單元背離襯底基板的一側的彩色濾光層。彩色濾光層包括多個彩色濾光片和設置在相鄰彩色濾光片之間的第一輔助功能部,第一輔助功能部用于將發光單元發出的光線反射至顯示基板的顯示側。一個彩色濾光片與一個發光單元對應設置。其中,第一輔助功能部的折射率小于與其相接觸的彩色濾光片的折射率。
技術領域
本公開屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板以及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展與進步,對于現有的顯示裝置而言,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種電流型發光器件,因其相對于TFT-LCD(hin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示裝置)而言具有自發光、快速響應、寬視角,以及高亮度、色彩艷麗、體積輕薄等優點,越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
現有技術中的OLED顯示設備中,OLED發出的光被大量限制在產品內部,顯著的降低了OLED顯示設備正面出光的能力。通常為提高OLED顯示設備的正面出光能力,在OLED顯示設備中設置了大量的提高產品正面出光能力的功能結構和功能層,導致OLED顯示設備的厚度和重量不斷增加,且降低了OLED顯示裝置的抗彎折能力。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種顯示基板以及顯示裝置
第一方面,本公開提供一種顯示基板,其包括:襯底基板;多個發光單元,設置在所述襯底基板上;彩色濾光層,設置在所述多個發光單元背離襯底基板的一側,所述彩色濾光層包括多個彩色濾光片和設置在相鄰所述彩色濾光片之間的第一輔助功能部,所述第一輔助功能部用于將所述發光單元發出的光線反射至顯示基板的顯示側;一個所述彩色濾光片與一個所述發光單元對應設置;其中,所述第一輔助功能部的折射率小于與其相接觸的所述彩色濾光片的折射率。
其中,所述第一輔助功能部包括第一平坦化層的圖案。
其中,所述第一輔助功能部還包括設置在所述彩色濾光片之間的黑矩陣;一個所述第一平坦化層的圖案覆蓋一個所述黑矩陣。
其中,所述第一輔助功能部的折射率范圍為1-1.5;所述彩色濾光片的折射率范圍為1.5-2。
其中,所述第一輔助功能部僅包括所述黑矩陣;所述顯示基板還包括設置在所述彩色濾光層背離所述襯底基板一側的第二平坦化層;所述第二平坦化層的折射率的范圍和所述彩色濾光片的折射率范圍相等。
其中,所述黑矩陣的折射率范圍為1-1.5,所述彩色濾光片的范圍為1.5-2,所述第二平坦化層的折射率的范圍為1.5-2。
其中,還包括觸控功能層,設置在所述多個發光單元背離所述襯底基板的一側,所述觸控功能層包括多個層間介質層、多個凸型結構;所述層間介質層在所述凸型結構上形成第二輔助功能部,所述第二輔助功能部用于將所述發光單元發出的光線反射至顯示基板的顯示側;所述顯示基板還包括第三平坦化層,設置在所述觸控功能層上背離所述襯底基板一側;所述第二輔助功能部14的折射率小于與其相接觸的所述第三平坦層的折射率。
其中,所述第二輔助功能部的折射率范圍為1-1.5,所述第三平坦層的折射率范圍為1.5-2。
其中,所述層間介質層的材料包括氮化硅。
其中,還包括第四平坦化層,設置在所述彩色濾光層上背離所述襯底基板的一側;所述第四平坦化層的折射率大于與其相接觸的所述彩色濾光片的折射率。
其中,所述所述彩色濾光片的折射率范圍為1-1.5,所述第四平坦化層的折射率范圍為1.5-2。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





