[發明專利]一種掩模參數優化方法及裝置

在審

• 申請號: 202111274722.2
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114137792A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 何建芳;韋亞一;粟雅娟;董立松;張利斌;陳睿;馬樂
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/70;G03F7/20
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

本發明公開了一種掩模參數優化方法，方法包括：獲取測試圖形、光源參數、初始掩模參數，初始掩模參數包括掩模厚度和初始掩模側壁角；根據初始掩模參數中的初始掩模側壁角生成多組候選掩模參數；多組候選掩模參數包括的不同的掩模側壁角和相同的掩模厚度；基于測試圖形和光源參數得到每組候選掩模參數的成像對比度；根據成像對比度從多組候選掩模參數中選取最優掩模側壁角。通過生成多組包括不同掩模側壁角和相同掩模厚度的掩模參數，并對這些組掩模參數分別進行模擬，以得到每組掩模參數的成像對比度，從而根據成像對比度找到最優掩模側壁角。從而，通過對多層膜透鏡結構的掩模參數進行優化，也可以顯著改善成像對比度，并提升成像分辨力。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種掩模參數優化方法及裝置。

背景技術

在半導體領域，傳統光刻技術一般是通過不斷減小曝光波長和增大數值孔徑來實現更小特征尺寸圖形的制備，但受到衍射極限的限制和制約，面臨著難以突破的障礙。而表面等離子體可以利用特殊設計的金屬薄膜耦合傳輸倏逝波，實現遠小于波長量級的特征尺寸物體精細結構的成像，這為突破光學衍射極限，進行光場操控提供了可行方法。

目前，使用的是基于等離子體的金屬-介質的多層膜透鏡結構。提高成像分辨力，并且人們主要通過改善該多層膜透鏡結構的結構參數，來使得該多層膜透鏡結構的成像分辨力得到提高，以改善成像對比度。

然而，與該多層膜透鏡結構相關的掩模參數優化方面沒有相關研究。

發明內容

本發明的目的是針對上述現有技術的不足提出的一種掩模參數優化方法及裝置，該目的是通過以下技術方案實現的。

本發明的第一方面提出了一種掩模參數優化方法，所述方法包括：

獲取測試圖形、光源參數、以及初始掩模參數，所述初始掩模參數包括掩模厚度和初始掩模側壁角；

根據所述初始掩模參數中的初始掩模側壁角，生成多組候選掩模參數；所述多組候選掩模參數包括的不同的掩模側壁角和相同的掩模厚度；

基于所述測試圖形和所述光源參數，得到每組候選掩模參數的成像對比度；

根據所述成像對比度，從多組候選掩模參數中選取最優掩模側壁角。

優選的，所述根據所述初始掩模參數中的初始掩模側壁角，生成多組候選掩模參數，包括：從所述初始掩模側壁角開始，每隔預設步長生成一個掩模側壁角，直至生成的掩模側壁角大于預設側壁角時停止；將生成的每個掩模側壁角與所述掩模厚度組成一組候選掩模參數。

優選的，所述基于所述測試圖形和所述光源參數，得到每組候選掩模參數的成像對比度，包括：針對每組候選掩模參數，在該組候選掩模參數條件下，使用所述測試圖形和所述光源參數，獲得在基底層上涂覆的光刻膠中所成空間像的最大光強度和最小光強度；根據所述最大光強度和最小光強度確定該組候選掩模參數的成像對比度。

優選的，所述根據所述成像對比度，從多組候選掩模參數中選取最優掩模側壁角，包括：將所述成像對比度的最大值對應的候選掩模參數中的掩模側壁角確定為最優掩模側壁角。

本發明的第二方面提出了一種掩模參數優化裝置，所述裝置包括：

獲取模塊，用于獲取測試圖形、光源參數、以及初始掩模參數，所述初始掩模參數包括掩模厚度和初始掩模側壁角；

候選參數生成模塊，用于根據所述初始掩模參數中的初始掩模側壁角，生成多組候選掩模參數；所述多組候選掩模參數包括的不同的掩模側壁角和相同的掩模厚度；

模擬模塊，用于基于所述測試圖形和所述光源參數，得到每組候選掩模參數的成像對比度；

最優值選取模塊，用于根據所述成像對比度，從多組候選掩模參數中選取最優掩模側壁角。