[發(fā)明專利]單晶圓濕處理設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111274481.1 | 申請日: | 2021-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN116072565A | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳建勝 | 申請(專利權(quán))人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶圓濕 處理 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供一種單晶圓濕處理設(shè)備,包含一操作殼體、一驅(qū)動機(jī)構(gòu)以及一升降機(jī)構(gòu)。操作殼體包含一集液腔室以及與集液腔室分別連通的一回收導(dǎo)管及一第一廢水排放管,其中回收導(dǎo)管還包含彼此不連通的一第一回收內(nèi)管及一第二廢水排放管。驅(qū)動機(jī)構(gòu)包含承載所述晶圓的一轉(zhuǎn)盤以及一驅(qū)動組件,轉(zhuǎn)盤設(shè)置在集液腔室內(nèi)。升降機(jī)構(gòu)包含相對操作殼體移動的一回收環(huán)以及跟隨回收環(huán)移動的一第二回收內(nèi)管,回收環(huán)沿著操作殼體內(nèi)壁移動,第二回收內(nèi)管套設(shè)并相對第一回收內(nèi)管移動,使廢水不會從回收導(dǎo)管滲入到第一回收內(nèi)管中,進(jìn)而污染藥液儲存槽。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶圓處理裝置;詳細(xì)而言,涉及一種單晶圓濕處理設(shè)備。
背景技術(shù)
單晶圓旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備(Single?Wafer?Spin?Cleaner)的典型制程,一般會先對晶圓噴灑各種化學(xué)藥液進(jìn)行清洗或蝕刻制程,后續(xù)各種化學(xué)藥液制程之間會使用去離子水(DI?Water)來去除先前制程所殘留于所述晶圓的化學(xué)藥液,或者是在完成清洗或蝕刻后也會使用去離子水(DI?Water)來去除先前制程所殘留于所述晶圓之化學(xué)藥液,最終將所述晶圓快速旋轉(zhuǎn)干燥與吹氮?dú)庥谒鼍A表面,進(jìn)而確保所述晶圓完全干燥。
當(dāng)單晶圓旋轉(zhuǎn)清洗或蝕刻設(shè)備使用去離子水(DI?Water)清洗晶圓時,產(chǎn)生的廢水會由藥液回收環(huán)下方的腔體底盤收集,并由主廢水排放管排出。然而,有些廢水可能因噴灑強(qiáng)勁、濺射或是水氣揮發(fā)等因素,從而滲入到藥液回收導(dǎo)管內(nèi)部,以致造成藥液回收遭受廢水污染,而無法重復(fù)利用/使用回收藥液,增加制程成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之一目的,在于提供一種單晶圓濕處理設(shè)備,能夠避免廢水從回收導(dǎo)管滲入到第一回收內(nèi)管中,進(jìn)而污染到用于回收藥液的藥液儲存槽。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明揭示一種單晶圓濕處理設(shè)備,透過一液體供應(yīng)裝置噴灑液體于一晶圓。單晶圓濕處理設(shè)備包含一操作殼體、一驅(qū)動機(jī)構(gòu)以及一升降機(jī)構(gòu)。操作殼體包含一集液腔室以及與集液腔室分別連通的一回收導(dǎo)管及一第一廢水排放管,其中回收導(dǎo)管還包含彼此不連通的一第一回收內(nèi)管及一第二廢水排放管。驅(qū)動機(jī)構(gòu)包含承載所述晶圓的一轉(zhuǎn)盤以及驅(qū)動轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動的一驅(qū)動組件,轉(zhuǎn)盤設(shè)置在集液腔室內(nèi)。升降機(jī)構(gòu)包含相對操作殼體移動的一回收環(huán)以及跟隨回收環(huán)移動的一第二回收內(nèi)管,回收環(huán)沿著操作殼體內(nèi)壁移動,第二回收內(nèi)管相對第一回收內(nèi)管移動。
在一實(shí)施例中,該第二回收內(nèi)管還包含一第一管部以及套設(shè)于該第一管部外的一第二管部,該第一管部的一端插設(shè)于該第一回收內(nèi)管內(nèi),該第二管部的一端則套設(shè)于該第一回收內(nèi)管外,該第一管部及該第二管部會相對該第一回收內(nèi)管移動。
在一實(shí)施例中,該第一管部的直徑小于該第一回收內(nèi)管的直徑,該第一回收內(nèi)管的直徑小于該第二管部的直徑。
在一實(shí)施例中,當(dāng)該升降機(jī)構(gòu)帶動該回收環(huán)移動至一第一位置時,該操作殼體暴露該轉(zhuǎn)盤并使該第二回收內(nèi)管與該第一回收內(nèi)管彼此重迭,當(dāng)該升降機(jī)構(gòu)帶動該回收環(huán)移動至一第二位置時,該回收環(huán)的開口平行于該轉(zhuǎn)盤上方的所述晶圓并使該第二回收內(nèi)管與該第一回收內(nèi)管部分重迭,當(dāng)該升降機(jī)構(gòu)帶動該回收環(huán)移動至一第三位置時,該回收環(huán)的開口高于該轉(zhuǎn)盤上方的所述晶圓
在一實(shí)施例中,在該第二位置的該第二回收內(nèi)管與該第一回收內(nèi)管彼此重迭的比例,大于在該第三位置的該第二回收內(nèi)管與該第一回收內(nèi)管彼此重迭的比例。
在一實(shí)施例中,該回收環(huán)還包含一本體、一第一導(dǎo)引部、一第二導(dǎo)引部及位于該第一導(dǎo)引部與該第二導(dǎo)引部之間的一導(dǎo)引槽,該第一導(dǎo)引部環(huán)形地設(shè)置于該本體的一開口端緣,該第二導(dǎo)引部環(huán)形地設(shè)置在遠(yuǎn)離該開口的該本體內(nèi)壁上。
在一實(shí)施例中,該回收環(huán)還包含連通該第二回收內(nèi)管的一連接信道,該連接信道開設(shè)在該第二導(dǎo)引部的一側(cè)表面與該導(dǎo)引槽連通。
在一實(shí)施例中,該第一導(dǎo)引部與該第二導(dǎo)引部分別為一弧形表面、一傾斜表面或其組合,且該第一導(dǎo)引部的長度小于該第二導(dǎo)引部的長度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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