[發明專利]一種快恢復二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202111272922.4
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114023644A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 屈志軍;王榮華;徐四向;吳方軍;張若鴻
• 申請（專利權）人: 江蘇索力德普半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/265;H01L29/04;H01L29/36;H01L29/16;H01L29/868
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228
• 代理人: 過顧佳

1.一種快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供N型低摻雜襯底；

在所述N型低摻雜襯底的第一表面形成終端區和主結區；

向所述主結區下方的所述N型低摻雜襯底中進行離子注入形成N型缺陷層；

在所述N型低摻雜襯底的第二表面進行離子注入形成N型摻雜層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述N型低摻雜基底的第一表面形成終端區和主結區，包括：

在所述N型低摻雜襯底的第一表面形成氧化層；

對所述氧化層進行光刻、刻蝕，形成終端區和主結區的離子注入窗口；

向所述離子注入窗口注入P型離子并進行推結，形成終端區和主結區。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在對所述N型低摻雜襯底的第二表面進行離子注入之前，從所述第二表面對所述N型低摻雜襯底進行減薄處理。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述主結區上方形成陽極電極；

在形成有所述N型摻雜層的所述N型低摻雜襯底的第二表面形成陰極電極。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述N型缺陷層的電阻率低于所述N型低摻雜襯底。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述N型缺陷層的離子濃度呈梯度分布。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述N型低摻雜襯底為單晶硅襯底。

8.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述終端區的結深為6μm-10μm，所述主結區的結深小于所述終端區。

9.一種快恢復二極管，其特征在于，包括N型低摻雜襯底；所述N型低摻雜襯底的第一表面形成有終端區和主結區；所述主結區下方的N型低摻雜襯底內形成有N型缺陷層；所述N型低摻雜襯底的第二表面形成有N型摻雜層。

10.根據權利要求7所述的快恢復二極管，其特征在于，所述快恢復二極管還包括：形成在所述主結區上方的陽極電極；以及形成在所述N型低摻雜襯底的第二表面的陰極電極。