[發明專利]一種采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法

在審

• 申請號: 202111271182.2
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN113854093A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 李媛媛
• 申請（專利權）人: 坂田種苗(蘇州)有限公司
• 主分類號: A01G22/60
• 分類號: A01G22/60;A01C1/00;A01C1/08;A01G24/28
• 代理公司: 蘇州周智專利代理事務所(特殊普通合伙) 32312
• 代理人: 俞海濤

1.一種采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟A.第一階段：將種子直接播到多孔穴盤中，播種時采用無菌的育苗專用泥炭土，pH控制在6.3-6.8之間，將穴盤放置在溫濕度可調可控的發芽室內，浸泡殺菌劑，并進行變溫處理；

步驟B.第二階段：種子發芽完成后，加強通風并降低濕度控制病害，保證光線充足，適宜的生長溫度是白天16-20℃、夜間5-10℃；

步驟C.第三階段：為了讓根系生長得更好一些，此階段控水，見干見濕，同時補充葉面肥促進生長；

步驟D.第四階段：到穴盤苗有4-6片真葉且根系發展好后，補充液體肥料，促進根系生長及莖桿的強壯；并調整溫度促進花芽分化以及開花；

步驟E.待植株開始枯黃且停止生長時，停止澆水，直至植株全部枯黃后，將球取出后，去除泥土、根和莖，將種球于通風、陰涼下自然干燥后，貯藏種球，即可獲得銀蓮花種球。

2.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：第一階段是指第1至第20天；第二階段是指第21天至第40天；第三階段是指第41至第55天；第四階段是指第56天至第133天。

3.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟A具體包括：

A1：將種子直接播到200孔或288孔的穴盤中，播種時采用無菌的育苗專用泥炭土，pH控制在6.3-6.8之間，將穴盤放置在溫濕度可調可控的發芽室內，不要覆蓋種子，浸泡濃度為100ppm的殺菌劑，并采用12小時20℃和12小時15℃進行變溫處理；

A2：將種子在5℃的環境下預處理一周，然后將預處理的溫度變為15℃，8-12天；

A3：等種子露白之后，再覆蓋一層蛭石來保持濕度，并將穴盤移動到光線適合且空氣流通好的室內。

4.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟B中：濕度為48-62％，光線強度為21000-23000勒克斯。

5.根據權利要求4所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟B中還可以噴施一定的葉面肥來促進生長；所述葉面肥為兌水稀釋1400-1600倍的均衡肥或/和磷鉀肥。

6.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟C中“見干見濕”的標準為：表層基質灰白色、中下部基質比較干但不完全干燥；

所述葉面肥是兌水稀釋900-1100倍的均衡肥或/和磷鉀肥。

7.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟D具體包括：

D1：穴盤苗有4-6片真葉，根系發展好后，補充液體肥料，促進根系生長及莖桿的強壯，保證此階段第一周的溫度在15-25℃之間，以促進根系發展；

D2：然后將穴盤放置在白天10-15℃、夜間4-6℃的地方來促進花芽分化；

D3：當花苞出現后，調整溫度在13-16℃來促進開花。

8.根據權利要求7所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟D1中，所述液體肥料的施肥方式為：每10天補充一次濃度150ppm的肥料；

且所述液體肥料為均衡肥或/和磷鉀肥。

9.根據權利要求1所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：步驟E中貯藏種球的濕度為30％-45％。

10.根據權利要求7所述的采用穴盤培植技術的銀蓮花種球繁殖方法，其特征在于：從步驟D2的花芽分化到步驟D3的花苞出現需要8周時間。