[發(fā)明專利]一種超低衰減大有效面積單模光纖

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• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114397727A
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭福生;劉軍;王瑞春;李伯中;吳廣哲;鄧?yán)?/a>;周新艷;盧賀;劉善沛;朱繼紅;吳俊
• 申請（專利權(quán)）人: 國家電網(wǎng)有限公司信息通信分公司;長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種超低衰減大有效面積單模光纖，包括有芯層和包層，所述的包層從內(nèi)到外依次包括有內(nèi)包層和外包層，其特征在于所述的芯層為氯摻雜二氧化硅玻璃層，或為氟氯共摻雜二氧化硅玻璃層，芯層半徑R1為4～10μm，相對折射率差Δn1為-0.1％～0.2％，所述的內(nèi)包層為氟摻雜二氧化硅玻璃層，內(nèi)包層半徑R2為20～40μm，相對折射率差Δn2為-0.4％～-0.11％，所述的外包層為全部或部分氟摻雜二氧化硅玻璃層。

2.按權(quán)利要求1所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的芯層中氯摻雜對相對折射率差的貢獻(xiàn)為0.05％～0.2％，氟摻雜對相對折射率差的貢獻(xiàn)為-0.1％～0％。

3.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的芯層相對折射率差與內(nèi)包層相對折射率差的相差值等于或大于0.28％，即Δn1-Δn2≥0.28％。

4.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的外包層為全部氟摻雜二氧化硅玻璃層，外包層半徑R3為62.5μm，相對折射率差為-0.35％≤Δn30％，且Δn3-Δn2≥0.02％，或者外包層為部分氟摻雜二氧化硅玻璃層，其中靠近內(nèi)包層的第一外包層為氟摻雜二氧化硅玻璃層，第一外包層半徑R31為40～50μm，相對折射率差Δn31為-0.32％～0％，且Δn31-Δn2≥0.02％，第二外包層為純二氧化硅玻璃層，第二外包層半徑R32為62.5μm，相對折射率差Δn32＝0％，且Δn32-Δn310％。

5.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的內(nèi)包層相對折射率差由內(nèi)向外呈遞減型。

6.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的有效面積為110～140μm²；所述光纖的成纜截止波長等于或小于1530nm。

7.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的色散等于或小于23ps/nm*km且等于或大于17ps/nm*km，所述光纖在波長1550nm處的色散斜率等于或小于0.07ps/nm²*km且等于或大于0.05ps/nm²*km，所述光纖在波長1625nm處的色散等于或小于27ps/nm*km。

8.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的衰減等于或小于0.175dB/km；所述光纖在波長1625nm處的衰減等于或小于0.185dB/km。

9.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1700nm處的微彎損耗等于或小于8dB/km。

10.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖以30mm半徑彎曲100圈，在波長1550nm處的宏彎損耗等于或小于0.5dB，所述光纖以15mm半徑彎曲10圈，在波長1550nm處的宏彎損耗等于或小于0.5dB。