[發明專利]具有衰減器的波導

在審

• 申請號: 202111261966.7
• 申請日: 2021-10-28
• 公開（公告）號: CN114578477A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: M·D·萊維;S·P·阿杜蘇米利;卞宇生
• 申請（專利權）人: 格芯（美國）集成電路科技有限公司
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12;H01L31/0232;H01S5/10
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林瑩瑩;牛南輝

1.一種結構，包括：

波導結構，其包括半導體材料；

衰減器，其位于所述波導結構下方；

氣隙結構，其位于所述波導結構和所述衰減器下方并與所述波導結構和所述衰減器豎直對準；以及

淺溝槽隔離結構，其位于所述波導結構的側面并與所述氣隙結構合并。

2.根據權利要求1所述的結構，其中，所述衰減器包括Ge材料，并且所述半導體材料為Si材料。

3.根據權利要求2所述的結構，其中，Ge材料密封所述氣隙結構。

4.根據權利要求2所述的結構，其中，所述Ge材料位于所述氣隙結構上方的溝槽內。

5.根據權利要求1所述的結構，其中，所述淺溝槽隔離結構包括電介質材料，所述電介質材料還對所述氣隙結構加襯。

6.根據權利要求1所述的結構，其中，所述氣隙結構包括大于1:1的縱橫比。

7.根據權利要求1所述的結構，其中，所述衰減器包括大于1:1的縱橫比。

8.根據權利要求1所述的結構，其中，所述氣隙結構被Si和SiGe材料密封。

9.根據權利要求1所述的結構，還包括標記層，所述標記層包括與所述衰減器相同的材料，所述標記層形成在體襯底上。

10.根據權利要求1所述的結構，其中，所述衰減器和所述波導結構位于體襯底上。

11.一種結構，包括：

波導結構，其位于體襯底上并且包括第一半導體材料；

衰減器，其位于所述波導結構下方并與所述波導結構豎直對準，所述衰減器包括不同于所述第一半導體材料的第二半導體材料；

氣隙，其與所述波導結構和所述衰減器豎直對準，所述氣隙被所述第二半導體材料密封并在所述波導結構下方被電介質材料加襯；以及

淺溝槽隔離結構，其包括電介質材料并位于所述波導結構的側面。

12.根據權利要求11所述的結構，其中，所述淺溝槽隔離結構與所述氣隙合并。

13.根據權利要求11所述的結構，還包括位于所述波導結構的頂表面上的電介質材料。

14.根據權利要求11所述的結構，其中，所述波導結構在所有側面被電介質材料包覆。

15.根據權利要求11所述的結構，其中，所述第一半導體材料包括Si，并且所述第二半導體材料包括Ge和SiGe中的一者。

16.根據權利要求11所述的結構，其中，所述衰減器包括大于1:1的縱橫比。

17.根據權利要求16所述的結構，其中，所述衰減器形成在與所述氣隙連通的溝槽中。

18.根據權利要求11所述的結構，其中，所述衰減器塞填通向所述氣隙的溝槽。

19.根據權利要求11所述的結構，還包括位于所述體襯底上方并且具有與所述衰減器相同的材料的標記層。

20.一種方法，包括：

形成包括半導體材料的波導結構；

在所述波導結構下方形成衰減器；

形成位于所述波導結構和所述衰減器下方并與所述波導結構和所述衰減器豎直對準的氣隙結構；以及

形成位于所述波導結構的側面并與所述氣隙結構合并的淺溝槽隔離結構。