[發明專利]一種半導體器件驅動器的測試電路及其控制方法

有效

• 申請號: 202111259329.6
• 申請日: 2021-10-28
• 公開（公告）號: CN113702797B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 曾嶸;陳政宇;吳錦鵬;余占清;楊晨;尚杰
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/04
• 代理公司: 北京知聯天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11594
• 代理人: 韓藝珠;張迎新

1.一種半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，包括：正向導通支路、反向導通支路、門極接線端和陰極接線端；

正向導通支路能夠正向導通百安培級脈沖電流，且導通期間正向維持低阻態；

反向導通支路能夠在μs級時間內反向導通和關斷kA級電流，且導通期間反向維持低阻態；

正向導通支路和反向導通支路并聯，形成第一端點和第二端點；

第一端點與門極接線端相連接；

第二端點與陰極接線端相連接；

門極接線端和陰極接線端分別用于接入驅動器的門極和陰極；

其中，正向導通是指電流從所述門極接線端經過所述測試電路流向所述陰極接線端，反向導通是指電流從所述陰極接線端經過所述測試電路流向所述門極接線端。

2.根據權利要求1所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，還包括：

調節電阻和/或調節電感；

正向導通支路和反向導通支路并聯后與調節電阻和/或調節電感串聯。

3.根據權利要求1所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，還包括：

設置在陰極接線端和門極接線端的電壓電流測量單元以及與電壓電流測量單元連接的控制系統；

電壓電流測量單元采集電壓電流參數并實時上傳到控制系統；

控制系統用于下發控制命令，控制測試電路和驅動器動作。

4.根據權利要求1所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

驅動器為能夠輸出正向電流和反向電流的驅動電路。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

所述正向導通支路包括二極管；

所述反向導通支路包括多個并聯的半導體開關器件，所述半導體開關器件為MOSFET、JFET或IGBT。

6.根據權利要求5所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

所述半導體開關器件為NMOS；

所述二極管的正極與NMOS的漏極連接形成所述第一端點；

所述二極管的負極與NMOS的源極連接形成所述第二端點；

NMOS的門極用于接收控制信號。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

所述正向導通支路包括二極管；

所述反向導通支路包括單個大電流容量的繼電器或多個大電流容量的繼電器并聯，以滿足反向導通支路具有在μs級時間內導通和關斷kA級大電流的能力。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

所述正向導通支路包括晶閘管。

9.根據權利要求8所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

所述反向導通支路包括多個并聯的半導體開關器件，所述半導體開關器件為MOS、JFET或IGBT；

所述半導體開關器件為MOS時：

所述晶閘管的陽極與MOS的漏極連接形成所述第一端點；

所述晶閘管的陰極與MOS的源極連接形成所述第二端點；

MOS的門極用于接收控制信號。

10.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件驅動器的測試電路，其特征在于，

正向導通支路包括二極管或可控開通器件晶閘管；

反向導通支路采用多個并聯支路，每個并聯支路包括串聯的分段調節電阻、分段調節電感和分段控制開關。