[發明專利]一種單激勵源分步動作的激勵保護裝置

在審

• 申請號: 202111252921.3
• 申請日: 2021-10-27
• 公開（公告）號: CN113851336A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 石曉光;段少波;王欣;戈西斌
• 申請（專利權）人: 西安中熔電氣股份有限公司
• 主分類號: H01H3/24
• 分類號: H01H3/24;H01H9/10;H01H9/30;H01M50/583
• 代理公司: 西安乾方知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 61259
• 代理人: 胡思棉

1.一種單激勵源分步動作的激勵保護裝置，包括殼體，激勵源、沖擊裝置及導體；其特征在于，在所述殼體中設置有至少兩個分別位于不同空腔中的沖擊裝置，所述沖擊裝置一側設置有一個激勵源，所述沖擊裝置及所述激勵源分別與其所在空腔為密封接觸；所述激勵源驅動所述沖擊裝置同時或先后位移，至少一個所述沖擊裝置在位移過程中斷開所述導體。

2.根據權利要求1所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，在所述導體上并聯有至少一個熔體。

3.根據權利要求2所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，至少一個所述沖擊裝置斷開所述導體，至少一個沖擊裝置斷開所述熔體或依次斷開所述導體和所述熔體。

4.根據權利要求3所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述熔體上設置有熔斷薄弱處和斷開薄弱處，所述斷開薄弱處位于被所述沖擊裝置斷開的部位處。

5.根據權利要求4所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，在熔體斷開薄弱處靠近沖擊裝置的空腔中設置有推塊，所述推塊與其所在空腔間設置有對推塊初始位置進行限定的限位結構。

6.根據權利要求4所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述熔斷薄弱處位于密閉的填充有滅弧介質的空腔中。

7.根據權利要求1至6任一所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述激勵源所在的空腔與各所述沖擊裝置所在的空腔分別連通，當激勵源動作時，可驅動所述沖擊裝置同時或先后動作；或所述激勵源所在的空腔與其中一個所述沖擊裝置所在的空腔連通，各所述沖擊裝置所在的空腔分別通過流道串聯連通，當激勵源動作時，可驅動所述沖擊裝置先后動作。

8.根據權利要求7所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，當各所述沖擊裝置所在空腔通過流道串聯連通時，先動作的沖擊裝置通過位移打開緊隨其后動作的沖擊裝置所在空腔與其所在空腔連通的流道開口。

9.根據權利要求7所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，其中一所述沖擊裝置居中設置，其他沖擊裝置圍繞所述居中設置的沖擊裝置外側間隔布置。

10.根據權利要求7所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述沖擊裝置圍繞激勵源所在空腔的外側布置。

11.根據權利要求9所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，位于居中所述沖擊裝置外側的沖擊裝置均為環狀結構，依次間隔套設于居中所述沖擊裝置的外周。

12.根據權利要求11所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述導體對應的所述環狀結構位置處分別開設有缺口，當環狀結構的所述沖擊裝置位移斷開熔體時，所述導體位于所述缺口內。

13.根據權利要求1所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，在所述沖擊裝置和所述激勵源分別與其所在空腔的接觸面間設置有用于密封接觸面的密封裝置。

14.根據權利要求2所述的單激勵源分步動作的激勵保護裝置，其特征在于，所述殼體還包括設置于其底部的熔體殼體，所述熔體穿設在所述熔體殼體中，其兩端穿過所述熔體殼體后與所述導體并聯連接；在所述熔體殼體上開設有供所述沖擊裝置斷開所述熔體的空腔。