[發明專利]一種通過離子液體鈍化消除藍色準二維鈣鈦礦薄膜中低維量子阱域的方法在審
| 申請號: | 202111243539.6 | 申請日: | 2021-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN114171707A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 邢軍;張明明;朱寧寧 | 申請(專利權)人: | 青島科技大學 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 青島中天匯智知識產權代理有限公司 37241 | 代理人: | 孟琦 |
| 地址: | 266000 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通過 離子 液體 鈍化 消除 藍色 二維 鈣鈦礦 薄膜 中低維 量子 方法 | ||
1.本發明通過引入離子液體來消除基于傳統銨鹽制備的低維準二維鈣鈦礦薄膜中的量子阱域(鈣鈦礦薄膜層數為1、2、3),由于乙酸正丁銨(BAAc)與溴化甲銨(MABr)分子獨特的作用機制,使得乙酸根負離子(Ac-)與溴負離子(Br-)具有較低的陰離子交換能壘,故BAAc僅對基于甲銨基的鈣鈦礦薄膜材料具有鈍化作用?;诖?,本發明成功制備出具有光滑、窄量子阱域且隨機晶粒排列的準二維鈣鈦礦薄膜。與基于傳統有機配體正丁銨溴(BABr)制備的PeLEDs相比,基于乙酸正丁銨(BAAc)制備的PeLED在發光亮度和效率方面得到了極大提升。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





