[發明專利]一種Top Com陣列結構

在審

• 申請號: 202111242816.1
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN113838873A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 陳偉;陳鑫;朱書緯;潛垚;李澈
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種Top Com陣列結構，包括玻璃基板（1），其特征在于：所述玻璃基板（1）上設有柵極GE層（2），所述柵極GE層（2）上沉積有無機絕緣GI層（3），所述無機絕緣GI層（3）上設有有源SE層（4），所述有源SE層（4）上設有刻蝕阻擋ES層（5），所述刻蝕阻擋ES層（5）上設有源漏極SD層（6），所述源漏極SD層（6）上沉積出無機絕緣PV層（7），所述無機絕緣PV層（7）上涂布一層有機絕緣OC層（8），并在有機絕緣OC層（8）上開設出OC孔（12），所述無機絕緣PV層（7）上蝕刻出PV孔（13），所述有機絕緣OC層（8）上沉積有像素電極PE層（9），所述像素電極PE層（9）沉積有無機CH層（10），所述無機CH層（10）上沉積有公共電極BC層（11）。

2.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述玻璃基板（1）為TFT側的素玻璃，其上依序形成TFT有源器件。

3.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述柵極GE層（2）為鋁、鉬、鈦、鎳、銅或者合金制成。

4.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述無機絕緣GI層（3）的材料為SiOx或SiNx。

5.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述有源SE層（4）為TFT器件半導體層，其材料為a-Si、MOx、LTPS或者IGZO。

6.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述無機絕緣PV層（7）的材料為SiOx或SiNx。

7.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述無機CH層（10）的材料為SiOx或SiNx。

8.根據權利要求1所述的一種Top Com陣列結構，其特征在于：所述公共電極BC層（11）的材料為透明導電ITO。

9.一種權利要求1-8任意一項所述的Top Com陣列結構的制造工藝，其特征在于：具體包括以下步驟：

S1、在襯底的玻璃基板（1）上制造出柵極GE層（2）；

S2、在柵極GE層（2）上沉積無機絕緣GI層（3）；

S3、在無機絕緣GI層（3）上制造出有源SE層（4）；

S4、在有源SE層（4）上制造出刻蝕阻擋ES層（5）；

S5、在刻蝕阻擋ES層（5）層上制造出源漏極SD層（6）；

S6、在源漏極SD層（6）上沉積出無機絕緣PV層（7）；

S7、在無機絕緣PV層（7）上涂布一層有機絕緣OC層（8），并開設OC孔（12）；

S8、采用同ES層的光罩曝光顯影蝕刻出PV孔（13）；

S9、在有機絕緣OC層（8）上沉積出像素電極PE層（9）；

S10、在像素電極PE層（9）上沉積出無機CH層（10）；

S11、在無機CH層（10）上沉積出公共電極BC層（11）。