[發(fā)明專利]一種高速率寬輸入擺幅的輸入信號檢測電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111242757.8 | 申請日： | 2021-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN113872899B | 公開（公告）日： | 2023-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 相立峰;王星;張國賢;徐曉斌;趙霽;崔明輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H04L25/03 | 分類號： | H04L25/03 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 葉昕 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 速率 輸入 信號 檢測 電路 | ||
1.一種高速率寬輸入擺幅的輸入信號檢測電路，其特征在于，包括：
放大整形電路，對輸入的差分信號的預(yù)放大和靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)節(jié)；
鏡像電路，將經(jīng)過所述放大整形電路的差分信號鏡像為兩對差分信號；
乘法器，將輸入的兩對差分信號做乘法并輸出；
比較器，將乘法器輸出的信號進(jìn)行對比；
帶隙基準(zhǔn)源電路，為整個輸入信號檢測電路提供參考電壓；
所述放大整形電路包括預(yù)放大電路和電平移位電路；其中，
所述預(yù)放大電路包括電阻R11～R13、NMOS管MN11和MN12、三極管Q11～Q13、兩個電容，NMOS管MN11的源端接三極管Q11的集電極，漏端通過電阻R11接VDD，柵端接NMOS管MN12的漏端；NMOS管MN12的源端接三極管Q12的集電極，漏端通過電阻R12接VDD，柵端接NMOS管MN11的漏端；NMOS管MN11的漏端通過一個電容接地，NMOS管MN12的漏端通過另一個電容接地；
三極管Q11的基極接差分輸入信號VIP，集電極接NMOS管MN11的源端，發(fā)射極接三極管Q13的集電極；三極管Q12的基極接差分輸入信號VIN，集電極接NMOS管MN12的源端，發(fā)射極接三極管Q3的集電極；三極管Q13的基極接參考電壓Vref1，發(fā)射極通過電阻R13接地；
電平移位電路包括三極管Q14～Q17、電阻R14和R15；三極管Q14和Q15的集電極均接VDD，發(fā)射極分別接Q16的集電極和Q17的集電極，基極分別接預(yù)放大器電路的差分輸出信號QN和QP；
三極管Q16和Q17的基極均接參考電壓Vref1，發(fā)射極分別通過電阻R14和電阻R15接地。
2.如權(quán)利要求1所述的高速率寬輸入擺幅的輸入信號檢測電路，其特征在于，所述鏡像電路包括PMOS管MP21～MP24、NMOS管MN21～MN25、三極管Q21～Q29、電阻R21和R22；
PMOS管MP21～MP24的源端均接VDD，柵端均接參考電壓Vref2，漏端分別接三極管Q21～Q24的集電極，三極管Q21～Q24的發(fā)射極均接三極管Q29的集電極，三極管Q21和Q22的基極均接電平移位電路的輸出信號MN，三極管Q23和Q24的基極均接電平移位電路的輸出信號MP；三極管Q29的基極接參考電壓Vref4，發(fā)射極通過電阻R21接地GND；
NMOS管MN21和MN22的源端分別接三極管Q25和Q26的集電極，柵端共同連接參考電壓Vref3，三極管Q25和Q26的基極分別接其自身集電極，發(fā)射極共同通過電阻R22接地GND；
NMOS管MN23和MN24的源端分別接三極管Q27和Q28的集電極，柵端共同連接參考電壓Vref3，三極管Q27和Q28的基極分別接其自身集電極，發(fā)射極接NMOS管MN25的漏端，NMOS管MN25的柵端接參考電壓Vref5，源端接地GND；
NMOS管MN21和MN22的漏端分別接PMOS管MP21和MP23的漏端，NMOS管MN23和MN24的漏端分別接PMOS管MP22和MP24的漏端。
3.如權(quán)利要求2所述的高速率寬輸入擺幅的輸入信號檢測電路，其特征在于，所述乘法器包括PMOS管MP31～MP34、三極管Q31～Q36和電阻R31～R32；
PMOS管MP31～MP34的源端接VDD，PMOS管MP31和MP32的漏端接MP33的柵端，PMOS管MP33和MP34的漏端接MP32的柵端；
三極管Q31的集電極接PMOS管MP31和MP32的漏端，三極管Q32的集電極接PMOS管MP33和MP34的漏端，三極管Q31和Q32的發(fā)射極均接三極管Q35的集電極，三極管Q35的發(fā)射極接電阻R31和R32的第一端；
三極管Q33的集電極接PMOS管MP31和MP32的漏端，三極管Q34的集電極接PMOS管MP33和MP34的漏端，三極管Q33和Q34的發(fā)射極均接三極管Q36的集電極，三極管Q36的發(fā)射極接電阻R31和R32的第一端，三極管Q31和Q33的基極連接所述NMOS管MN23的源端，三極管Q32和Q34的基極連接所述NMOS管MN24的源端，三極管Q35的基極連接所述NMOS管MN21的源端，三極管Q36的基極連接所述NMOS管MN22的源端；
電阻R31和電阻R32的第二端均接地GND。
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