[發(fā)明專利]磁屏蔽筒的設計方法及其裝置、醫(yī)學圖像采集系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111241931.7
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN113901694B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 盛經(jīng)緯;崔云揚
• 申請（專利權）人: 北京昆邁醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號: G06F30/23
• 分類號: G06F30/23;G06F111/04
• 代理公司: 北京布瑞知識產(chǎn)權代理有限公司 11505
• 代理人: 宗廣靜

1.一種磁屏蔽筒的設計方法，其特征在于，用于設計包含多個磁屏蔽層的磁屏蔽筒，所述方法包括：

基于所述磁屏蔽筒的初始預設形狀，進行曲線建模操作，構(gòu)建所述磁屏蔽筒對應的曲線模型；

基于所述曲線模型在仿真模擬的磁場中的屏蔽性能，優(yōu)化所述曲線模型的參數(shù)，以確定所述磁屏蔽筒的形狀；

其中，所述基于所述曲線模型在仿真模擬的磁場中的屏蔽性能，優(yōu)化所述曲線模型的參數(shù)，以確定所述磁屏蔽筒的形狀，包括：

基于有限元分析方法，構(gòu)建所述磁屏蔽筒的感興趣區(qū)域?qū)哪繕撕瘮?shù)，其中，所述目標函數(shù)用于表征所述感興趣區(qū)域的屏蔽性能指標，繼而表征所述曲線模型在所述仿真模擬的磁場中的屏蔽性能；

基于所述有限元分析方法，使所述目標函數(shù)最小化，以優(yōu)化所述曲線模型的參數(shù)，從而確定所述磁屏蔽筒的形狀；

其中，所述目標函數(shù)包括固定參數(shù)和可調(diào)節(jié)參數(shù)；所述固定參數(shù)包括：磁屏蔽層材料的磁導率、磁屏蔽層厚度和磁屏蔽層層數(shù)；所述可調(diào)節(jié)參數(shù)包括插值點參數(shù)數(shù)據(jù)；

其中，所述基于所述有限元分析方法，使所述目標函數(shù)最小化，以優(yōu)化所述曲線模型的參數(shù)，從而確定所述磁屏蔽筒的形狀，包括：

基于所述初始預設形狀確定初始約束條件；

基于所述初始約束條件，優(yōu)化所述目標函數(shù)的值，獲得使所述目標函數(shù)滿足最小化條件的當前解；

基于所述當前解對應的插值點參數(shù)，構(gòu)建更新后曲線模型；

當更新后曲線模型對應的磁屏蔽筒中的磁屏蔽層具有重疊或者交錯時，修改所述初始約束條件和/或添加新的約束條件，以獲得更新后約束條件；

基于所述更新后約束條件，重新優(yōu)化所述目標函數(shù)的值，獲得使所述目標函數(shù)滿足所述最小化條件的更新解；

直至基于所述更新解對應的插值點參數(shù)數(shù)據(jù)構(gòu)建的曲線模型對應的所述磁屏蔽筒滿足預設條件，基于所述更新解對應的插值點參數(shù)數(shù)據(jù)確定所述曲線模型的調(diào)整參數(shù)數(shù)據(jù)，以確定所述磁屏蔽筒的形狀。

2.根據(jù)權利要求1所述的磁屏蔽筒的設計方法，其特征在于，所述基于所述磁屏蔽筒的初始預設形狀，進行曲線建模操作，構(gòu)建所述磁屏蔽筒對應的曲線模型，包括：

基于所述初始預設形狀，選取所述磁屏蔽筒的多個磁屏蔽層各自對應的插值點集，并獲取所述多個磁屏蔽層各自對應的插值點集各自對應的插值點參數(shù)數(shù)據(jù)；

基于所述多個磁屏蔽層各自對應的插值點集各自對應的插值點參數(shù)數(shù)據(jù)，進行數(shù)學建模，以構(gòu)建所述磁屏蔽筒對應的曲線模型。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁屏蔽筒的設計方法，其特征在于，所述屏蔽性能指標包括：所述感興趣區(qū)域的平均磁感應強度模。