[發明專利]一種改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法及其應用

在審

• 申請號: 202111239125.6
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN113991018A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 米啟兮;朱子豪
• 申請（專利權）人: 上?？萍即髮W
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在經過清洗的導電玻璃上旋涂空穴傳輸材料并退火，得到含空穴傳輸層的導電玻璃；

步驟2：配制含有錫基鈣鈦礦材料和環狀硫酮化合物的前驅液；

步驟3：在步驟1所述的空穴傳輸層上旋涂步驟2配制的前驅液，使用反溶劑一步生成鈣鈦礦薄膜，并退火，得到錫基鈣鈦礦薄膜。

2.根據權利要求1所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中的環狀硫酮化合物選自式I和式II中的至少一種：

其中，n＝1或2，取代基R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆均選自H或烴基。

3.根據權利要求2所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述的烴基選自C1～C6的烷基。

4.根據權利要求3所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中的環狀硫酮化合物為1,3-二甲基咪唑烷-2-硫酮、1-甲基咪唑烷-2-硫酮和1,3-二甲基咪唑啉-2-硫酮中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中的環狀硫酮化合物與錫基鈣鈦礦材料中的錫離子的摩爾比為0.1～2：1；所述錫基鈣鈦礦材料為甲脒三碘化錫。

6.根據權利要求1所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中配制前驅液所采用的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜或兩者以任意比例組成的混合物。

7.根據權利要求1所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中的反溶劑為甲苯。

8.根據權利要求1所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1和3中旋涂的工藝參數為：轉速500～10000rpm，時間10～60s；退火的工藝參數為：退火溫度50～150℃，時間5～60min。

9.權利要求1～8中任意一項所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法制備所得的改進型錫基鈣鈦礦薄膜在太陽能電池中的應用。

10.一種太陽能電池，其特征在于，包括權利要求1～8中任意一項所述的改進型錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法制備所得的改進型錫基鈣鈦礦薄膜、電子傳輸層、空穴阻擋層和銀電極。