[發(fā)明專利]一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202111238152.1
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN114023636A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 歐文凱;董思敏;向亮睿
• 申請（專利權）人: 普樂新能源科技（徐州）有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L21/228;H01L31/18
• 代理公司: 北京喆翙知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 梁永昌

1.一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，采用硼擴輕摻雜與絲網印刷硼漿重摻雜的相結合的制作方法，使得該電池正面結構使得非印刷區(qū)為輕摻高方阻，提高光線的短波響應，同時絲網印刷區(qū)為重摻低方阻，減少前金屬電極的接觸電阻，使得短路電流和填充因子都得到較好的改善，從而提高轉換效率。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，所述N型硅片作為襯底材料，通過清洗制絨使硅片表面產生金字塔狀表面結構，反射率不超過10％。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，所述硼擴輕摻雜區(qū)擴散方阻控制在120ohm/squ～160ohm/squ。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，所述背面拋光后反射率＞30％。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化層厚度在1nm-2nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，激光開槽后硅片進行硼漿印刷并烘干，硼漿印刷圖形與絲網印刷圖形一致。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，硼漿印刷后硅片進行退火，退火溫度在900℃-1000℃，時間保持在20min-60min。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于，退火激活磷摻雜及形成硼擴SE結構，在重摻雜區(qū)域的方阻控制在70ohm/squ～90ohm/squ。

9.根據(jù)權利要求1所述的一種硼擴SE結構的高效N型TOPCon電池制作方法，其特征在于：硼擴輕摻雜硼源為BBr₃/BCl₃蒸汽。