[發(fā)明專(zhuān)利]光纖延時(shí)裝置及遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性模擬方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111235193.5
• 申請(qǐng)日: 2021-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114002774B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏?zhàn)雍?/a>;劉波;吳姿妍;趙曉龍;張浩然;眭曉林;周壽桓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G02B6/28
• 分類(lèi)號(hào): G02B6/28
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專(zhuān)利中心 11010
• 代理人: 羅丹

本發(fā)明公開(kāi)一種光纖延時(shí)裝置及遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性模擬方法，所述裝置包括：第一開(kāi)關(guān)，包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口，第二接口適于與第一接口或第三接口光纖連接，第三接口還適于與第四接口光纖連接；第二開(kāi)關(guān)，包括第五接口、第六接口以及第七接口，第七接口適于與第五接口或第六接口光纖連接，第五接口與第三接口光纖連接；第一段延時(shí)光纖，一端與第七接口光纖連接；與第一段延時(shí)光纖的另一端光纖連接的第一光纖反射鏡和第一光電探測(cè)器；第二光纖反射鏡，與第六接口光纖連接；第二段延時(shí)光纖，一端與第三接口光纖連接；與第二段延時(shí)光纖的另一端光纖連接的第二光電探測(cè)器和第三光纖反射鏡。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)距離的光程延時(shí)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，尤其涉及一種光纖延時(shí)裝置及遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性模擬方法。

背景技術(shù)

在光纖通信領(lǐng)域或者激光雷達(dá)領(lǐng)域的研究中，模擬遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性常采用以下兩種方法：一是直接在相應(yīng)公里長(zhǎng)度的光纖里進(jìn)行傳輸，如果延時(shí)需要達(dá)到幾百至上千公里，這樣使用的光纖數(shù)量過(guò)于龐大，且公里數(shù)變換需要多段不同長(zhǎng)度光纖手動(dòng)連接；二是使用光衰減器衰減信號(hào)光，以模擬長(zhǎng)距離傳輸后信號(hào)的衰減。以上兩種方法要么公里數(shù)切換不靈活，要么模擬不出光信號(hào)實(shí)際的傳輸情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種光纖延時(shí)裝置及遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性模擬方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中模擬遠(yuǎn)距離光信號(hào)傳輸特性的成本高、精度低的問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光纖延時(shí)裝置，包括：

第一開(kāi)關(guān)，包括第一接口、第二接口、第三接口以及第四接口，所述第二接口適于與所述第一接口或所述第三接口光纖連接，所述第三接口適于與所述第二接口或所述第四接口光纖連接；

第二開(kāi)關(guān)，包括第五接口、第六接口以及第七接口，所述第七接口適于與所述第五接口或所述第六接口光纖連接，所述第五接口與所述第三接口光纖連接；

第一段延時(shí)光纖，一端與所述第七接口光纖連接；

第一光纖反射鏡，與所述第一段延時(shí)光纖的另一端光纖連接；

第一光電探測(cè)器，與所述第一段延時(shí)光纖的另一端光纖連接；

第二光纖反射鏡，與所述第六接口光纖連接；

第二段延時(shí)光纖，一端與所述第三接口光纖連接；

第二光電探測(cè)器，與所述第二段延時(shí)光纖的另一端光纖連接；

第三光纖反射鏡，與所述第二段延時(shí)光纖的另一端光纖連接。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述光纖延時(shí)裝置還包括：

控制電路，與所述第一開(kāi)關(guān)、所述第二開(kāi)關(guān)、所述第一光電探測(cè)器、以及所述第二光電探測(cè)器通信連接，所述控制電路用于檢測(cè)所述第一光電探測(cè)器和以及所述第二光電探測(cè)器的激光到達(dá)時(shí)刻，并控制所述第一開(kāi)關(guān)和所述第二開(kāi)關(guān)接口連接的切換。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述控制電路的芯片為單片機(jī)或FPGA。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，若所述控制電路的芯片中斷響應(yīng)速率為m兆赫，則所述第一段延時(shí)光纖的長(zhǎng)度大于等于300m米。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第二段延時(shí)光纖的型號(hào)與所述第一段延時(shí)光纖的型號(hào)相同。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第一光電探測(cè)器為硅光電探測(cè)器或銦鎵砷光電探測(cè)器；

所述第二光電探測(cè)器為硅光電探測(cè)器或銦鎵砷光電探測(cè)器。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第一段延時(shí)光纖為單模光纖或單模保偏光纖；

所述第二段延時(shí)光纖為單模光纖或單模保偏光纖。