[發(fā)明專利]一種靜電防護(hù)器件及芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111231410.3
• 申請(qǐng)日: 2021-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN113675189B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯毅;朱文瓊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢市聚芯微電子有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H02H9/04
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 熊恒定

1.一種靜電防護(hù)器件，其特征在于，包括可控硅整流器組，所述可控硅整流器組包括：第一可控硅整流器和第二可控硅整流器，所述第一可控硅整流器包括位于襯底中的第一陽極、第一陰極、第一控制極和共用控制極，所述第二可控硅整流器包括位于所述襯底中的第二陽極、第二陰極，第二控制極和所述共用控制極；

其中，所述襯底包括第一型阱和位于所述第一型阱內(nèi)的第二型阱；

所述共用控制極、所述第一陽極和所述第二陽極位于所述第二型阱中；

所述第一陰極和所述第一控制極，以及所述第二陰極和所述第二控制極位于所述第一型阱中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一控制極、所述第一陰極、所述第一陽極、所述共用控制極、所述第二陽極、所述第二陰極和所述第二控制極，依次沿第一方向并列設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一型阱具有第三陰極和第四陰極，所述第三陰極和所述第四陰極分別與所述第一控制極和所述第二控制極并列、且位于所述第一控制極和所述第二控制極相對(duì)于所述共用控制極的外側(cè)；所述第三陰極和所述第四陰極與所述第一陰極和所述第二陰極共接陰極金屬線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述襯底還包括第二型掩埋層，所述第一型阱在所述第二型掩埋層的正投影范圍內(nèi)，所述第二型掩埋層具有第三陽極，所述第三陽極呈環(huán)形設(shè)置，且所述第三陽極與所述第一陽極和所述第二陽極共接陽極金屬線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一陽極與所述第二陽極，所述第一陰極與所述第二陰極，所述第一控制極與所述第二控制極，所述共用控制極，所述第三陰極以及所述第四陰極在所述第三陽極的環(huán)形范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一控制極和所述第二控制極共接到第一金屬線，所述共用控制極連接到第二金屬線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述陽極金屬線和所述陰極金屬線沿所述第一方向延伸、且分別位于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述襯底具有外接電極，所述外接電極圍繞所述第三陽極設(shè)置，且所述外接電極接地。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一型阱為P型阱，所述第二型阱為N型阱；所述共用控制極、所述第一陰極和所述第二陰極具有N型摻雜離子，所述第一陽極、所述第二陽極、所述第一控制極和所述第二控制極具有P型摻雜離子。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一陰極、所述第二型阱和所述第一控制極組成第一晶體管，所述第一陽極、所述第二陽極、所述第二型阱和所述第一型阱組成第二晶體管，所述第二陰極、所述第一型阱和所述第二型阱組成第三晶體管；所述第一晶體管和所述第二晶體管組成所述第一可控硅整流器，所述第二晶體管和所述第三晶體管組成所述第二可控硅整流器。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，所述靜電防護(hù)器件還包括阻容鉗位管和至少一個(gè)二極管，所述可控硅整流器組排布于所述至少一個(gè)二極管和所述阻容鉗位管之間，所述阻容鉗位管和所述至少一個(gè)二極管通過金屬線與所述可控硅整流器組電連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜電防護(hù)器件，其特征在于，每個(gè)所述二極管包括：

負(fù)極和位于所述負(fù)極上的第一電極，所述負(fù)極和所述第一電極的俯視形狀為長方形；

正極和位于所述正極上的第二電極和第三電極，所述正極圍繞所述負(fù)極；

其中，所述負(fù)極和所述正極之間具有長邊間距和短邊間距，所述長邊間距與所述短邊間距的比值范圍為1:1.5~1:2。