[發明專利]靜電保護方法、靜電保護電路及芯片

有效

• 申請號: 202111231346.9
• 申請日: 2021-10-22
• 公開（公告）號: CN113675832B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 柯毅;劉坤;盧杰;李石亮
• 申請（專利權）人: 武漢市聚芯微電子有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

1.一種靜電保護電路，其特征在于，包括：

靜電輸入模塊，所述靜電輸入模塊包括至少一個靜電輸入端，每一所述靜電輸入端用于電性連接一靜電釋放節點；

時間常數模塊，所述時間常數模塊的第一輸入端與所述靜電輸入模塊的輸出端電性連接，所述時間常數模塊的第二輸入端接地；

二次驅動模塊，所述二次驅動模塊的第一輸入端與所述靜電輸入模塊的輸出端電性連接，所述二次驅動模塊的第二輸入端接地，所述二次驅動模塊的控制端與所述時間常數模塊的輸出端電性連接；

可控硅整流器，所述可控硅整流器的輸入端與所述靜電輸入模塊的輸出端電性連接，所述可控硅整流器的第一控制端與所述時間常數模塊的輸出端電性連接，所述可控硅整流器的第二控制端與所述二次驅動模塊的輸出端電性連接；

泄放開關模塊，所述泄放開關模塊的輸入端與所述可控硅整流器的輸出端電性連接，所述泄放開關模塊的輸出端接地，所述泄放開關模塊的控制端與所述二次驅動模塊的輸出端電性連接。

2.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電釋放節點接收到靜電時，所述時間常數模塊的輸出端為低電位，所述二次驅動模塊的輸出端為高電位，所述可控硅整流器、所述泄放開關模塊同時導通以形成靜電泄放路徑。

3.根據權利要求2所述的靜電保護電路，其特征在于，所述靜電輸入模塊還包括：

至少一個二極管，每個所述二極管的陽極與一所述靜電輸入端對應電性連接，每個所述二極管的陰極與所述靜電輸入模塊的輸出端電性連接。

4.根據權利要求3所述的靜電保護電路，其特征在于，所述時間常數模塊包括：

第一電阻，所述第一電阻的一端與所述至少一個二極管的陰極電性連接；

第一電容，所述第一電容的一端與所述第一電阻的另一端電性連接以構成所述時間常數模塊的輸出端，所述第一電容的另一端接地。

5.根據權利要求4所述的靜電保護電路，其特征在于，所述二次驅動模塊包括：

第一晶體管，所述第一晶體管的源極與所述第一電阻的一端電性連接，所述第一晶體管的柵極與所述第一電阻的另一端電性連接，所述第一晶體管為P溝道型晶體管；和

第二電阻，所述第二電阻的一端與所述第一晶體管的漏極電性連接以構成所述二次驅動模塊的輸出端，所述第二電阻的另一端接地。

6.根據權利要求5所述的靜電保護電路，其特征在于，所述泄放開關模塊包括：

第二晶體管，所述第二晶體管的漏極與所述可控硅整流器的輸出端電性連接，所述第二晶體管的源極接地，所述第二晶體管的柵極與所述第二電阻的一端電性連接。

7.根據權利要求6所述的靜電保護電路，其特征在于，所述可控硅整流器包括：

第三電阻，所述第三電阻的一端與所述第一電阻的一端電性連接；

第三晶體管，所述第三晶體管的集電極與所述第三電阻的另一端和所述第一電阻的另一端電性連接，所述第三晶體管的發射極與所述第二晶體管的漏極電性連接，所述第三晶體管為N溝道型晶體管；

第四晶體管，所述第四晶體管的發射極與所述第三電阻的一端電性連接，所述第四晶體管的基極與所述第三電阻的另一端電性連接，所述第四晶體管的集電極與所述第三晶體管的基極電性連接，所述第四晶體管為P溝道型晶體管；

第四電阻，所述第四電阻的一端與所述第四晶體管的集電極和所述第二電阻的一端電性連接，所述第四電阻的另一端與所述第三晶體管的發射極電性連接。