[發明專利]顯示基板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202111228036.1 | 申請日: | 2021-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN113972223A | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 史魯斌;趙夢;楊明;張振宇;王洪潤;李付強 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括多個子像素,所述子像素包括多個晶體管;其特征在于,所述顯示基板還包括包括基底,以及,依次設置于所述基底上的N個陣列層;N為大于1的整數;
所述子像素包括的晶體管被劃分為N組,第n組晶體管由第n陣列層形成;n為小于或等于N的正整數。
2.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,第n陣列層包括依次設置于所述基底上的第n半導體層、第n柵金屬層,以及,設置于所述第n半導體層與所述第n柵金屬層之間的柵絕緣層;
所述第n組晶體管的柵極由所述第n柵金屬層形成,所述第n組晶體管的有源層圖形由所述第n半導體層形成。
3.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第n陣列層還包括第n源漏金屬層,以及,設置于所述第n柵金屬層與第n源漏金屬層之間的第n層間介質層。
4.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,還包括設置于相鄰的兩陣列層之間的隔離層;
所述隔離層包括絕緣層。
5.如權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述隔離層還包括電場屏蔽層;
所述電場屏蔽層接入恒定電位,用于避免相鄰的陣列層之間的信號干擾。
6.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述子像素還包括發光元件,所述顯示基板還包括陽極層;所述N個陣列層設置于所述基底與所述陽極層之間;
所述發光元件的陽極由所述陽極層形成。
7.如權利要求1至6中任一權利要求所述的顯示基板,其特征在于,還包括轉接導電圖形;不同的陣列層中的連接膜層之間通過過孔和所述轉接導電圖形耦接;所述陣列層中的連接膜層包括所述陣列層中的金屬層和半導體層中的至少一個;
所述顯示基板還包括陽極層,所述陽極層與至少一所述陣列層中的半導體層之間通過過孔和所述轉接導電圖形耦接。
8.如權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述轉接導電圖形由所述陣列層中的至少一金屬層形成;或者,
所述顯示基板還包括轉接導電層,所述轉接導電圖形由所述轉接導電層形成。
9.如權利要求1至6中任一權利要求所述的顯示基板,其特征在于,所述N個陣列層中的一部分陣列層中的半導體層由多晶硅制成,所述N個陣列層中的另一部分陣列層中的半導體層由氧化物制成;或者,所述N個陣列層中的半導體層都由多晶硅制成。
10.如權利要求1至6中任一權利要求所述的顯示基板,其特征在于,所述子像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、復位控制線、初始電壓線、數據線、柵線和發光控制線;
所述第一晶體管的柵極與所述復位控制線耦接,所述第一晶體管的第一電極與所述初始電壓線耦接,所述第一晶體管的第二電極與第一節點耦接;
所述第二晶體管的柵極與所述柵線耦接,所述第二晶體管的第一電極與所述第一節點耦接,所述第二晶體管的第二電極與所述第三晶體管的第二電極耦接;
所述第三晶體管的柵極與所述第一節點耦接,所述第三晶體管的第一電極與所述第四晶體管的第二電極耦接;
所述第四晶體管的柵極與所述柵線耦接,所述第四晶體管的第一電極與數據線耦接;
所述第五晶體管的柵極與所述發光控制線耦接,所述第五晶體管的第一電極與電源電壓線耦接,所述第五晶體管的第二電極與所述第四晶體管的第二電極耦接;
所述第六晶體管的柵極與所述發光控制線耦接,所述第六晶體管的第一電極與所述第二晶體管的第二電極耦接,所述第六晶體管的第二電極與所述發光元件的陽極耦接;
所述顯示基板包括依次設置于所述基底上的第一陣列層、第二陣列層和第三陣列層;
所述第三晶體管、所述第五晶體管和所述第六晶體管由所述第一陣列層形成;
所述第四晶體管由所述第二陣列層形成;
所述第一晶體管和所述第二晶體管由所述第三陣列層形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111228036.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





