[發明專利]一種枝葉密布型溝槽分布的研磨墊及研磨裝置

在審

• 申請號: 202111221351.1
• 申請日: 2021-10-20
• 公開（公告）號: CN113878491A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 唐強;蔣錫兵
• 申請（專利權）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 鄭越

本發明涉及研磨墊技術領域，具體涉及一種枝葉密布型溝槽分布的研磨墊及研磨裝置。枝葉密布型溝槽分布的研磨墊包括研磨墊本體，研磨墊本體的表面開設有：圓環溝槽，位于研磨墊本體的中心區域；N級樹枝溝槽，N≧2；第一級樹枝溝槽設有多條且沿圓環溝槽的周向均布，其一端與圓環溝槽連通，另一端延伸至研磨墊本體的邊緣；第二級樹枝溝槽至第N級樹枝溝槽皆對應上一級樹枝溝槽設置，且其一端與上一級樹枝溝槽的中部區域連通，另一端延伸至研磨墊本體的邊緣。本發明提供的枝葉密布型溝槽分布的研磨墊，能夠在研磨墊本體的邊緣區域形成更為密集的溝槽，從而在研磨墊本體的邊緣區域填充更多的研磨液，以此抵消邊界效應產生的研磨墊磨平現象。

技術領域

本發明涉及研磨墊技術領域，具體涉及一種枝葉密布型溝槽分布的研磨墊及研磨裝置。

背景技術

CMP(化學機械研磨)是一種使用化學腐蝕以及機械力對硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理的工藝。研磨墊是CMP中的常用耗材，其為多層橡膠材質，且表面為聚氨酯纖維。使用時，將研磨墊粘貼在研磨平臺上，將硅晶圓或其他待加工件安裝在研磨頭下表面，然后下壓研磨頭至研磨墊上表面，通過兩者的相對旋轉進行研磨。

研磨頭對于研磨墊表面的壓力及相對旋轉會對研磨墊表面造成損耗，而在研磨墊的邊緣由于工件邊緣受力狀況、運動狀況和磨粒聚集現象等容易形成邊界效應，邊界效應會使損耗增大，在末期研磨墊邊緣溝槽會產生一部分復產物，從而對硅晶圓或其他待加工件造成一定程度上的產品缺陷。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中研磨后期研磨墊邊緣損耗較大，會產生影響產品質量的復產物的缺陷，從而提供一種抵消邊界效應的枝葉密布型溝槽分布的研磨墊及研磨裝置。

為解決上述技術問題，本發明提供的一種枝葉密布型溝槽分布的研磨墊，包括研磨墊本體，所述研磨墊本體的表面開設有：

圓環溝槽，位于所述研磨墊本體的中心區域；

N級樹枝溝槽，N≧2；

第一級樹枝溝槽設有多條且沿所述圓環溝槽的周向均布，其一端與圓環溝槽連通，另一端延伸至所述研磨墊本體的邊緣；第二級樹枝溝槽至第N級樹枝溝槽皆對應上一級樹枝溝槽設置，且其一端與上一級樹枝溝槽的中部區域連通，另一端延伸至所述研磨墊本體的邊緣。

可選的，所述第一級樹枝溝槽為波浪曲線形。

可選的，所述第二級樹枝溝槽至第N級樹枝溝槽為弧線形。

可選的，所述第一級樹枝溝槽的數量為8～12條。

可選的，N≤5。

可選的，所述研磨墊本體的表面還開設有：

同心溝槽，為圓環形且與所述圓環溝槽同心設置。

可選的，所述同心溝槽開設于所述研磨墊本體的中心區域和邊緣區域，且兩個區域的數量皆為3～5條。

可選的，所述同心溝槽還分布在所述研磨墊本體的中心區域和邊緣區域之間。

可選的，位于所述研磨墊本體的中心區域和邊緣區域之間的相鄰兩同心溝槽的間距沿徑向向外呈增大趨勢，且所述研磨墊本體的邊緣區域和中心區域的同心溝槽間距皆小于兩區域之間的同心溝槽間距。

本發明還提供一種研磨裝置，包括：

研磨平臺；

前述的研磨墊，其固定在研磨平臺的表面。

本發明技術方案，具有如下優點：