[發明專利]光器件、光通信設備及光器件的制造方法

在審

• 申請號: 202111221295.1
• 申請日: 2021-10-20
• 公開（公告）號: CN114545663A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 杉山昌樹
• 申請（專利權）人: 富士通光器件株式會社
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02F1/035
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 孫東喜;楊雪玲

1.一種光器件，該光器件包括：

硅Si基板；

接地電極，該接地電極處于接地電位并且層疊在所述Si基板上；

鈮酸鋰LN光波導，該LN光波導由層疊在所述接地電極上的薄膜鈮酸鋰LN基板形成；以及

信號電極，該信號電極設置在與所述接地電極相對的位置處并且所述LN光波導插置于所述信號電極與所述接地電極之間，并且所述信號電極施加高頻信號。

2.根據權利要求1所述的光器件，該光器件還包括：

第一緩沖層，該第一緩沖層層疊在所述接地電極與所述薄膜LN基板之間；以及

第二緩沖層，該第二緩沖層層疊在所述薄膜LN基板上并覆蓋所述LN光波導，

其中，所述信號電極在所述第二緩沖層的表面上設置在與所述LN光波導的位置交疊的位置處。

3.根據權利要求1所述的光器件，其中，所述接地電極由與所述信號電極的材料不同的材料形成。

4.根據權利要求1所述的光器件，該光器件還包括：

支撐基板，該支撐基板形成于所述Si基板上；以及

Si光波導，該Si光波導形成在所述支撐基板上，

其中，所述Si光波導和所述LN光波導耦合。

5.根據權利要求4所述的光器件，該光器件還包括氮化硅SiN光波導，該SiN光波導耦合在所述Si光波導和所述LN光波導之間。

6.根據權利要求5所述的光器件，其中，

所述Si光波導的輸出級側形成為直徑逐漸變細，并且所述SiN光波導的輸出級側形成為直徑逐漸變細，并且

所述Si光波導的輸出級耦合至所述SiN光波導的輸入級，并且所述SiN光波導的輸出級耦合至所述LN光波導的輸入級。

7.根據權利要求5所述的光器件，其中，

所述Si光波導的輸出級側形成為直徑逐漸變細，所述SiN光波導的輸入級側和輸出級側形成為直徑逐漸變細，并且所述LN光波導的輸入級側形成為直徑逐漸變細，并且

所述Si光波導的輸出級耦合至所述SiN光波導的輸入級，并且所述SiN光波導的輸出級耦合至所述LN光波導的輸入級。

8.一種光通信設備，該光通信設備包括：

處理器，該處理器對電信號執行信號處理；

光源，該光源生成光；以及

光器件，該光器件通過使用從所述處理器輸出的所述電信號調制從所述光源生成的光，

其中，所述光器件包括：

硅Si基板，

接地電極，該接地電極處于接地電位并且層疊在所述Si基板上，

鈮酸鋰LN光波導，該LN光波導由層疊在所述接地電極上的薄膜鈮酸鋰LN基板形成，以及

信號電極，該信號電極設置在與所述接地電極相對的位置處并且所述LN光波導插置于所述信號電極與所述接地電極之間，并且所述信號電極施加高頻信號。

9.一種光器件的制造方法，該制造方法包括以下步驟：

通過對具有硅Si基板、形成在所述Si基板上的硅Si光波導以及覆蓋所述Si光波導的緩沖層的第一構件的表面進行從所述緩沖層至所述硅Si基板的一部分的蝕刻來形成凹陷部分；以及

在所述凹陷部分中安裝具有以下的第二構件以使得所述Si光波導的光軸與鈮酸鋰LN光波導的光軸對齊：

支撐基板，

接地電極，該接地電極處于接地電位并層疊在所述支撐基板上，

所述鈮酸鋰LN光波導，所述LN光波導由層疊在所述接地電極上的薄膜鈮酸鋰LN基板形成，以及

信號電極，該信號電極設置在與所述接地電極相對的位置處并且所述LN光波導插置于所述信號電極與所述接地電極之間，并且所述信號電極施加高頻信號。