[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111218998.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-10-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114023764A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張春鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基底;
薄膜晶體管陣列層,設(shè)置于所述基底的一側(cè),且所述薄膜晶體管陣列層包括至少一薄膜晶體管,其中,所述薄膜晶體管包括設(shè)置于所述基底一側(cè)的有源層,所述有源層包括溝道部以及位于所述溝道部?jī)蓚?cè)的電性連接部;所述基底與所述薄膜晶體管陣列層之間設(shè)有至少一間隔層;
遮光部,嵌入設(shè)置于所述基底中,且所述溝道部在所述基底上的正投影位于所述遮光部在所述基底上的正投影的覆蓋范圍以內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述基底包括層疊設(shè)置的第一子層與第二子層,所述第二子層設(shè)置于所述間隔層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管陣列層的一側(cè),所述第一子層設(shè)置于所述第二子層遠(yuǎn)離所述間隔層的一側(cè),所述遮光部設(shè)置于所述第一子層與所述第二子層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子層的材料包括柔性材料,所述第二子層的材料包括水氧阻擋材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述基底還包括設(shè)置于所述第二子層遠(yuǎn)離所述第一子層一側(cè)的第三子層,且所述第三子層的材料包括所述柔性材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述基底還包括設(shè)置于所述第一子層遠(yuǎn)離所述第二子層一側(cè)的第四子層,且所述第四子層的材料包括所述柔性材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第四子層靠近所述第一子層的一側(cè)具有至少一凸部,所述第一子層靠近所述第四子層的一側(cè)具有與至少一所述凸部相對(duì)應(yīng)的至少一凹部,且所述凸部與所述凹部相嵌合。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述基底還包括設(shè)置于所述第一子層遠(yuǎn)離所述第二子層一側(cè)的第五子層,且所述第二子層的材料以及所述第五子層的材料皆包括柔性材料,所述第一子層的材料包括水氧阻擋材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的顯示面板,其特征在于,所述柔性材料包括聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及多芳基化合物中的至少一者;
所述水氧阻擋材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子層靠近所述第二子層的一側(cè)設(shè)置有凹槽,且所述遮光部設(shè)置于所述凹槽內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管陣列層包括設(shè)置于所述間隔層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的金屬導(dǎo)通部,所述顯示面板包括位于所述金屬導(dǎo)通部與所述遮光部之間的接觸孔,且所述金屬導(dǎo)通部通過(guò)所述接觸孔與所述遮光部搭接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管包括設(shè)置于所述有源層一側(cè)的至少一柵極以及設(shè)置于至少一所述柵極一側(cè)的源漏極,且所述金屬導(dǎo)通部與至少一所述柵極以及所述源漏極中的任一者同層設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括多個(gè)像素區(qū),所述薄膜晶體管陣列層包括多個(gè)所述薄膜晶體管,多個(gè)所述薄膜晶體管包括設(shè)置于各所述像素區(qū)內(nèi)且電性連接的開(kāi)關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管,其中,所述開(kāi)關(guān)晶體管的所述有源層在所述基底上的正投影以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述有源層在所述基底上的正投影皆位于所述遮光部在所述基底上的正投影的覆蓋范圍以內(nèi)。
13.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的顯示面板以及裝置主體,所述顯示面板與所述裝置主體組合為一體。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





