[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置以及包括其的電子系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111215356.3
• 申請(qǐng)日: 2021-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN114388524A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安在昊;金智源;黃盛珉;任峻成;成錫江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;韓芳

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：

第一基底，包括彼此背對(duì)的第一表面和第二表面；

模制結(jié)構(gòu)，包括順序地堆疊在第一基底的第一表面上的多個(gè)柵電極；

溝道結(jié)構(gòu)，穿透模制結(jié)構(gòu)并且與所述多個(gè)柵電極交叉；

第一接觸過孔，穿透第一基底；

第二基底，包括面向第一表面的第三表面和與第三表面背對(duì)的第四表面；

電路元件，在第二基底的第三表面上；

第一貫穿過孔，穿過模制結(jié)構(gòu)，第一貫穿過孔連接第一接觸過孔和電路元件，并且第一貫穿過孔包括：第一導(dǎo)電圖案；以及第一間隔膜，將第一導(dǎo)電圖案與模制結(jié)構(gòu)分開；以及

第二貫穿過孔，穿過模制結(jié)構(gòu)，第二貫穿過孔與第一貫穿過孔分隔開，并且第二貫穿過孔包括：第二導(dǎo)電圖案；以及第二間隔膜，將第二導(dǎo)電圖案與第一基底和模制結(jié)構(gòu)分開。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第一貫穿過孔的寬度和第二貫穿過孔的寬度中的每個(gè)朝向第一基底減小。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第一接觸過孔的寬度朝向模制結(jié)構(gòu)減小。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，模制結(jié)構(gòu)包括暴露第一基底的貫穿過孔溝槽，第二間隔膜沿著貫穿過孔溝槽的側(cè)表面和下表面延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第二導(dǎo)電圖案不連接第一接觸過孔和電路元件。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第一接觸過孔包括：

第三導(dǎo)電圖案；以及

第三間隔膜，將第三導(dǎo)電圖案與第一基底分開。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第一基底包括從第一表面延伸的基底溝槽，第一貫穿過孔和第二貫穿過孔在基底溝槽中。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括連接到第一接觸過孔的第一輸入-輸出墊，第一輸入-輸出墊在第一基底的第二表面上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括：

第二接觸過孔，穿透第二基底；以及

第二輸入-輸出墊，連接到第二接觸過孔，第二輸入-輸出墊在第二基底的第四表面上。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，第一貫穿過孔和第二貫穿過孔中的每個(gè)穿透所述多個(gè)柵電極的第一部分，而不穿透所述多個(gè)柵電極的第二部分。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括：

層間絕緣膜，在第一基底上覆蓋模制結(jié)構(gòu)；

第三貫穿過孔，與模制結(jié)構(gòu)分隔開，第三貫穿過孔穿透層間絕緣膜；以及

第二輸入-輸出墊，連接到第三貫穿過孔。