[發明專利]一種殺菌膠膜及其卷繞鍍制方法

在審

• 申請號: 202111212928.2
• 申請日: 2021-10-19
• 公開（公告）號: CN113913740A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 陳水和
• 申請（專利權）人: 陳水和
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/20;C23C14/34;C23C14/56;A01N59/16;A01N25/34;A01P1/00
• 代理公司: 北京棘龍知識產權代理有限公司 11740
• 代理人: 顧川江

1.一種殺菌膠膜，其特征在于：包括膠膜主體(1)，所述膠膜主體(1)表面鍍設有殺菌層(2)，所述殺菌層(2)包括結合膜層(21)、載體層(22)、第一殺菌膜層(23)及第二殺菌膜層(24)。

2.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述膠膜主體1的結構材料包括：PET、TPU、EVA、PU、PP、PVC、PE、PO、ABS、PC、POM、PA、TPE及硅膠。

3.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述殺菌層(2)完全地覆蓋所述膠膜主體(1)的外表面。

4.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述殺菌層(2)完全地覆蓋所述膠膜主體(1)的內表面。

5.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述結合膜層(21)包括由Si制成的膜層。

6.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述載體層(22)包括由Si和TiC制成的膜層。

7.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述第一殺菌膜層(23)包括由Si、TiC和Ag制成的膜層。

8.根據權利要求1所述的殺菌膠膜，其特征在于：所述第二殺菌膜層(24)包括由Si、TiC、Ag和Ag制成的膜層。

9.一種殺菌膠膜卷繞鍍制方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)預處理：將卷軸膠膜安裝上架，放入真空爐內，啟動一收一放卷軸，進行電暈處理；

(2)真空處理：真空爐內抽真空至1x10-3Pa；

(3)結合膜層鍍制：開啟電源調至30-40V，占空比為20％-30％，通入氬氣使真空度達到2.0x10-2Pa，啟動Si靶，Si靶的電流密度為6A,爐溫調至40攝氏度，然后啟動卷軸膠膜，膠膜前進的線速度為0.1-0.3米/秒，Si靶依照膠膜前進方向濺射，使膠膜表面形成Si結合膜層；完成Si結合膜層鍍制的膠膜持續前進到下一鍍層制作；

(4)載體層鍍制：Si靶及TiC靶同時濺射,TiC靶的電流密度為6A,爐溫保持40攝氏度，依照膠膜前進方向，按Si靶、TiC靶順序依次排列并同時濺射，使膠膜表面形成Si和TiC的載體層；完成Si和TiC的載體層鍍制的膠膜持續前進到下一鍍層制作；

(5)第一殺菌膜層鍍制：保持Si靶和TiC靶，同時啟動第一Ag靶，第一Ag靶的電流密度為0.4A,爐溫保持40攝氏度，依照膠膜前進方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶順序依次排列同時濺射，使膠膜表面形成Si、TiC和Ag的第一殺菌膜層；完成Si、TiC和Ag的第一殺菌膜層鍍制的膠膜持續前進到下一鍍層制作；

(6)第二殺菌膜層鍍制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同時啟動第二Ag靶，第二Ag靶的電流密度為0.4A,爐溫保持40攝氏度，依照膠膜前進方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶順序依次排列同時濺射，使膠膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二殺菌膜層；膠膜另一端同時繞第二卷筒進行收卷；

(7)鍍膜完成：先關閉Si靶、TiC靶，然后關閉第一Ag靶和第二Ag靶，最后關閉所有氣體，待5-10分鐘降溫后，將真空爐分段放空氣至大氣壓，取出工件完成鍍膜。