[發(fā)明專利]溫度傳感器及集成電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111204768.7 | 申請(qǐng)日： | 2021-10-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113804319A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 習(xí)偉;李鵬;蔡田田;鄧清唐;陳波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南方電網(wǎng)數(shù)字電網(wǎng)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01K7/01 | 分類號(hào)： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 王天慶 |
| 地址： | 510700 廣東省廣州市黃*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溫度傳感器 集成電路 | ||
1.一種溫度傳感器，其特征在于，包括電壓生成模塊、電壓補(bǔ)償模塊、輸出模塊，其中，
所述電壓生成模塊的輸入端與外部電源電連接；所述電壓生成模塊用于生成與溫度成反比的負(fù)溫度系數(shù)電壓；
所述電壓生成模塊的輸出端與所述電壓補(bǔ)償模塊的輸入端電連接；所述電壓補(bǔ)償模塊用于對(duì)所述負(fù)溫度系數(shù)電壓進(jìn)行補(bǔ)償，生成與溫度無(wú)關(guān)的補(bǔ)償電壓；
所述電壓生成模塊的輸出端、所述電壓補(bǔ)償模塊的輸出端與所述輸出模塊的輸入端電連接；所述輸出模塊用于根據(jù)所述補(bǔ)償電壓與所述負(fù)溫度系數(shù)電壓輸出正溫度系數(shù)電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述電壓生成模塊包括偏置電流生成電路、工作在亞閾值區(qū)的MOS晶體管、第一電流鏡電路、第二電流鏡電路以及第三電流鏡電路；所述第一電流鏡電路、第二電流鏡電路以及第三電流鏡電路為共源共柵電流鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溫度傳感器，其特征在于，所述偏置電流生成電路，用于生成偏置電流；
所述工作在亞閾值區(qū)的MOS晶體管，用于生成與溫度成反比的電壓；
所述第一電流鏡電路、第二電流鏡電路以及第三電流鏡電路，用于按照不同的比例復(fù)制所述偏置電流，生成第一偏置電流、第二偏置電流及第三偏置電流；
所述電壓生成模塊，用于基于所述第一偏置電流、第二偏置電流及第三偏置電流、所述第一電流鏡電路、第二電流鏡電路以及第三電流鏡電路的等效電阻，生成與所述第一電流鏡電路、第二電流鏡電路以及第三電流鏡電路對(duì)應(yīng)的等效電壓；
根據(jù)所述與溫度成反比的電壓、所述等效電壓，生成所述負(fù)溫度系數(shù)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的溫度傳感器，其特征在于，所述偏置電流生成電路包括第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管；
所述第一NMOS晶體管的源極接地，所述第一NMOS晶體管的漏極與所述第二NMOS晶體管的源極電連接，所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第一電流鏡電路電連接，所述第一NMOS晶體管的柵極、所述第二NMOS晶體管的柵極與所述工作在亞閾值區(qū)的MOS晶體管電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫度傳感器，其特征在于，所述工作在亞閾值區(qū)的MOS晶體管包括第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管；
所述第三NMOS晶體管的源極接地，所述第三NMOS晶體管的漏極與所述第四NMOS晶體管的源極電連接，所述第三NMOS晶體管的漏極與所述第一NMOS晶體管的柵極電連接，所述第四NMOS晶體管的漏極與所述第三NMOS晶體管的柵極電連接，所述第二NMOS晶體管的柵極與所述第四NMOS晶體管的柵極電連接，所述第四NMOS晶體管的漏極與所述第二電流鏡電路電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溫度傳感器，其特征在于，所述第一電流鏡電路包括第五PMOS晶體管和第六PMOS晶體管，所述第二電流鏡電路包括第七PMOS晶體管和第八PMOS晶體管，所述第三電流鏡電路包括第九PMOS晶體管和第十PMOS晶體管；
所述第五PMOS晶體管的漏極、所述第八PMOS晶體管的漏極、所述第十PMOS晶體管的漏極與所述外部電源電連接，所述第六PMOS晶體管的源極與所述第五PMOS晶體管的漏極電連接，所述第五PMOS晶體管的源極與所述第二NMOS晶體管的漏極電連接；
所述第八PMOS晶體管的源極與所述第七PMOS晶體管的漏極電連接，所述第七PMOS晶體管的源極與所述第四NMOS晶體管的漏極電連接；
所述第十PMOS晶體管的源極與所述第九PMOS晶體管的漏極電連接，所述第九PMOS晶體管的源極與所述第四NMOS晶體管的源極電連接；
所述第六PMOS晶體管的柵極與所述第六PMOS晶體管的源極電連接，所述第六PMOS晶體管的柵極分別與所述第八PMOS晶體管的柵極和所述第十PMOS晶體管的柵極電連接，所述第五PMOS晶體管的柵極與所述第五PMOS晶體管的源極電連接，所述第五PMOS晶體管的柵極分別與所述第七PMOS晶體管的柵極和所述第九PMOS晶體管的柵極電連接。
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