[發(fā)明專利]納米壓印膠層的制作方法和光學(xué)元件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111199916.0
• 申請(qǐng)日: 2021-10-14
• 公開（公告）號(hào): CN113900354A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 苑洪鐘;曹雪峰;陳遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波舜宇?yuàn)W來技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 劉娜

1.一種納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S10：在基底(10)上涂布膠水并形成厚度均勻的膠層(20)；

步驟S20：將掩模板(40)放置在所述膠層(20)的上方形成中間件；

步驟S30：將所述中間件放入干法刻蝕設(shè)備內(nèi)進(jìn)行刻蝕形成厚度不均勻的刻蝕件；

步驟S40：若需要刻蝕的區(qū)域(30)的數(shù)量N大于1，則將所述掩模板(40)移動(dòng)到預(yù)設(shè)位置后重復(fù)N-1次所述步驟S20至所述步驟S30后執(zhí)行步驟S50；若需要刻蝕的區(qū)域(30)的數(shù)量N等于1，則執(zhí)行步驟S50；

所述步驟S50：將所述刻蝕件取出，并將所述掩模板(40)與所述膠層(20)分離，并對(duì)所述膠層(20)壓印。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，所述步驟S10包括：

在所述基底(10)上涂布膠水并形成厚度均勻的膠層(20)的過程中，采用旋涂工藝涂布所述膠水。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，所述步驟S10包括：

在所述基底(10)上涂布膠水并形成厚度均勻的膠層(20)的過程中，在所述基底(10)上涂布預(yù)設(shè)體積的膠水，以使形成的所述膠層(20)的厚度在500nm到1500nm范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，所述步驟S10還包括：在形成所述膠層(20)后，對(duì)所述膠層(20)進(jìn)行預(yù)烘烤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，在所述步驟S10與所述步驟S20之間還包括步驟S11：在所述膠層(20)遠(yuǎn)離所述基底(10)的表面鍍薄膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，所述步驟S11包括：

在所述膠層(20)遠(yuǎn)離所述基底(10)的表面鍍薄膜層的過程中，將所述基底(10)和所述膠層(20)放入到鍍膜設(shè)備中；

采用TiN或者TiO₂材料在所述膠層(20)的表面進(jìn)行鍍膜形成TiN薄膜層或者TiO₂薄膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，在所述步驟S20中還包括：

將所述掩模板(40)放置在所述膠層(20)的上方并控制所述掩模板(40)與所述膠層(20)之間距離在0.1mm至1mm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，所述步驟S30包括：所述中間件放入所述干法刻蝕設(shè)備內(nèi)后對(duì)裸露在所述掩模板(40)的中空結(jié)構(gòu)(41)處的膠層(20)進(jìn)行刻蝕，使得裸露在中空結(jié)構(gòu)(41)處的膠層(20)的厚度變薄。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印膠層的制作方法，其特征在于，在所述步驟S40中，對(duì)不同的所述需要刻蝕的區(qū)域(30)的刻蝕時(shí)間不同，以使膠層(20)具有多個(gè)厚度不同的區(qū)域。

10.一種光學(xué)元件，其特征在于，采用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的納米壓印膠層的制作方法制作所述光學(xué)元件。