[發明專利]一種雙層高強度超疏水分離膜及其制備方法、應用在審
| 申請號: | 202111197079.8 | 申請日: | 2021-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN113713638A | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | 賈國文;朱振濤;苗力孝;馬俊青 | 申請(專利權)人: | 山東海科創新研究院有限公司 |
| 主分類號: | B01D71/34 | 分類號: | B01D71/34;B01D71/02;B01D69/12;B01D69/08;B01D67/00;B01D61/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 劉樂 |
| 地址: | 257000 山東省東營市東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙層 強度 疏水 分離 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明提供了一種復合分離膜,包括PVDF?HFP納米纖維膜;復合在PVDF?HFP納米纖維膜上的石墨烯層;所述PVDF?HFP納米纖維膜中含有碳納米管。本發明采用碳納米管和石墨烯同時對分離膜進行改性,而且是有序的改性,使得石墨烯材料能夠形成單獨的石墨烯層復合在納米纖維膜的表面,而碳納米管則有序的分布在納米纖維膜中。本發明對PVDF?HFP靜電紡絲納米纖維膜同時進行增強疏水改性,具有更加優異的力學性能和疏水性能,膜材料性質穩定,可用于膜蒸餾技術,而且提供的制備方法,工藝簡單易操作,適合大面積工業化推廣和應用,也適用于各類疏水膜的制備及改性,所得膜材料性質穩定,屬于多用途的環境友好性材料。
技術領域
本發明屬于膜蒸餾技術領域,涉及一種復合分離膜及其制備方法、應用,尤其涉及一種雙層高強度超疏水分離膜及其制備方法、應用。
背景技術
水資源短缺已成為當今世界普遍存在的問題。膜分離技術由于無相變、能耗低、高效無污染等優點,越來越受到人們的重視。膜蒸餾是近年來新興的一種膜工藝。它是通過溫度驅動,采用疏水的微孔膜,對含有非揮發溶質水進行分離的一種膜分離過程。由于膜蒸餾的特點,膜蒸餾用膜必須具備高強度以及超疏水兩個性能。然而目前,膜孔易浸潤以及機械性能差仍是膜蒸餾過程存在的主要問題。近二十年來,膜蒸餾技術取得了迅猛的發展,在海水淡化,超純水制備,廢水處理等應用上替代了傳統的反滲透膜(RO)和熱蒸餾技術。和反滲透膜及其他壓力膜技術相比,膜蒸餾技術有很多優點:(1)操作壓力低,不是以壓力為主的膜技術;(2)截留率高,對于非揮發性溶質的截留可以達到100%;(3)操作溫度在40~95℃比傳統的蒸餾操作低很多,可有效利用地熱,工業廢熱,太陽能等廉價能源,降低能耗;(4)對于濃差極化不敏感,可以和其他膜技術如反滲透,正滲透等結合使用以達到更高的凈水產率或濃縮物提純。
但是隨著膜蒸餾技術的持續發展,各應用行業對膜蒸餾的處理性能也提出了更高的要求,而對于膜蒸餾技術而言,其所使用的疏水分離膜是其處理性能的核心關鍵。
因此,如何提升疏水分離膜的性能,進而提升膜蒸餾性能,而且簡單易行,適于工業化推廣和應用,已成為諸多一線研究人員和科研型企業亟待解決的問題之一。
發明內容
有鑒于此,本發明要解決的技術問題在于提供一種復合分離膜及其制備方法、應用,特別是一種雙層高強度超疏水分離膜。本發明提供的復合分離膜,具有更加優異的力學性能和疏水性能,膜材料性質穩定;而且工藝簡單易操作,適合大面積推廣。
本發明提供了一種復合分離膜,包括PVDF-HFP納米纖維膜;
復合在PVDF-HFP納米纖維膜上的石墨烯層;
所述PVDF-HFP納米纖維膜中含有碳納米管。
優選的,所述碳納米管與所述PVDF-HFP的質量比為(0.02~0.1):1;
所述石墨烯與所述PVDF-HFP的質量比為(0.01~0.05):1;
所述PVDF-HFP納米纖維膜的厚度為10~100μm;
所述石墨烯層的厚度為0.1~5μm;
所述復合分離膜為雙層高強度超疏水分離膜。
優選的,所述碳納米管的直徑為2~20nm;
所述碳納米管的長度為10~50μm;
所述石墨烯包括單層石墨烯和/或多層石墨烯;
所述多層石墨烯的層數小于等于10層;
所述石墨烯層為石墨烯膜層;
所述石墨烯層具有橫向堆疊的形貌。
優選的,所述石墨烯層由石墨烯經抽濾后堆疊復合在PVDF-HFP納米纖維膜上,形成石墨烯膜層;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東??苿撔卵芯吭河邢薰?,未經山東??苿撔卵芯吭河邢薰驹S可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111197079.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





