[發明專利]表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法

在審

• 申請號: 202111194004.4
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN113937009A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 夏大權;馬鵬;余鎮;周玉鳳;徐向濤;馬紅強;王興龍;李述洲
• 申請（專利權）人: 重慶平偉伏特集成電路封測應用產業研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 張博

1.一種表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，所述表貼式雙面散熱半導體功率器件的引線框架包括框架本體和多個橫向設置于框架本體上的框架單元，每個所述框架單元包括一個基島及獨立設置于基島底端的管腳組件，所述管腳組件包括多個并排設置的管腳，每個管腳靠近基島的一端設置有管腳部，其特征在于，所述封裝方法包括如下步驟：

提供引線框架及芯片；

焊錫膏上芯，通過焊錫膏將芯片焊接在引線框架各自對應的基島上；

鍵合，將芯片與管腳部通過銅片相連并壓焊；

清洗，對焊接有芯片和銅片的引線框架進行清洗；

塑封，采用塑封料將壓焊后的引線框架進行封裝，形成塑封體，且僅露出管腳；

研磨，對所述塑封體上表面進行研磨，露出頂部銅片作為散熱片；

上錫，對所述塑封體外部的管腳以及外露的銅片進行電鍍上錫；

切筋、測試及印字、包裝出貨。

2.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：每個所述框架單元中的管腳數量為4個，各個所述管腳沿橫向均勻分布，且各個所述管腳的寬度和厚度尺寸相同。

3.根據權利要求2所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：每個所述框架單元中各個管腳部之間相互獨立、或者兩個相鄰管腳部連接、或者三個相鄰管腳部連接。

4.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述鍵合步驟中，所述銅片的一端與芯片在第一焊接位焊接，另一端與管腳部在第二焊接位焊接，所述銅片的上表面為平面，且在焊接位置處向下凸出，所述銅片的底部與芯片在第三焊接位焊接，所述第三焊接位設置于第一焊接位和第二焊接位之間，且所述銅片在第三焊接位和第一焊接位處的凸出高度相等。

5.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述清洗步驟中，采用等離子清洗機對焊接有芯片和銅片的引線框架進行清洗。

6.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述塑封步驟中，所述塑封料采用環氧塑封料。

7.根據權利要求1或6所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述塑封步驟中，還包括塑封后的固化處理，固化溫度為175℃，固化時間為8h。

8.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述研磨步驟之后和上錫步驟之前，還包括篩選步驟，所述篩選步驟通過回流焊工藝進行篩選。

9.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述上錫步驟之后和切筋步驟之前，還包括冷熱沖擊試驗步驟，所述冷熱沖擊試驗步驟通過冷熱沖擊試驗箱進行冷熱沖擊測試。

10.根據權利要求1所述的表貼式雙面散熱半導體功率器件的封裝方法，其特征在于：所述封裝方法適用于封裝二極管芯片、MOSFET芯片及IGBT芯片。