[發(fā)明專利]顯示基板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111192932.7 | 申請日: | 2021-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN113937141A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱飛飛;賈文斌;詹成勇 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 鄭穎穎 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
本申請?zhí)峁┮环N顯示基板及顯示裝置。顯示基板包括:襯底基板;多個子像素,設(shè)置在襯底基板上,被配置為發(fā)出第一顏色的光線;量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換層,設(shè)置在子像素的出光方向一側(cè),包括用于將第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為第二顏色的光線的第一光轉(zhuǎn)換區(qū)和用于將第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為第三顏色的光線的第二光轉(zhuǎn)換區(qū);其中,第一光轉(zhuǎn)換區(qū)具有:第一量子點(diǎn),被配置為將第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為具有第一波長的光線;第二量子點(diǎn),被配置為將第一顏色的光線和具有第一波長的光線轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光線;第二波長與第二顏色對應(yīng);第二波長大于第一波長;第一波長大于第一顏色的光線的波長。能夠延長第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為第二顏色的光線的能量轉(zhuǎn)移的路徑,提高光轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示基板及顯示裝置。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)作為一種新型的發(fā)光器件,具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快、視角寬、高清晰、高亮度、抗彎曲能力強(qiáng)和低功耗等優(yōu)點(diǎn),在顯示和照明領(lǐng)域體現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力,逐漸成為液晶顯示面板強(qiáng)有力的競爭對手,因而受到了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的強(qiáng)烈關(guān)注。在顯示領(lǐng)域,OLED相對于LCD具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。
在OLED顯示方案中,包括利用OLED作為激發(fā)光源,激發(fā)的光經(jīng)過量子點(diǎn)轉(zhuǎn)化后顯示的QD-LED(Quantum Dot-Light Emitting Diodes)。傳統(tǒng)的QD-LED對于激發(fā)光源的光轉(zhuǎn)換效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請的目的在于提出一種顯示基板及顯示裝置。
基于上述目的,本申請?zhí)峁┝孙@示基板及顯示裝置。
本申請實施例提供一種顯示基板,包括:
襯底基板;
多個子像素,設(shè)置在所述襯底基板上,被配置為發(fā)出第一顏色的光線;
量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換層,設(shè)置在所述子像素的出光方向一側(cè),包括用于將所述第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為第二顏色的光線的第一光轉(zhuǎn)換區(qū)和用于將所述第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為第三顏色的光線的第二光轉(zhuǎn)換區(qū);
其中,所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)具有以下結(jié)構(gòu):
第一量子點(diǎn),被配置為將所述第一顏色的光線轉(zhuǎn)換為具有第一波長的光線;
第二量子點(diǎn),被配置為將所述第一顏色的光線和所述具有第一波長的光線轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光線;所述第二波長與所述第二顏色對應(yīng);
所述第二波長大于所述第一波長;所述第一波長大于所述第一顏色的光線的波長。
在一些實施例中,所述第一波長與所述第一顏色對應(yīng)的波長的差值大于30nm;所述第二波長與所述第一波長的差值大于50nm。
在一些實施例中,在所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū),沿所述出光方向,所述第一量子點(diǎn)的濃度逐漸減小,所述第二量子點(diǎn)的濃度逐漸增大。
在一些實施例中,所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)至少包括沿所述出光方向?qū)盈B設(shè)置的第一光轉(zhuǎn)換層和第二光轉(zhuǎn)換層;所述第二光轉(zhuǎn)換層中所述第一量子點(diǎn)的濃度小于所述第一光轉(zhuǎn)換層中所述第一量子點(diǎn)的濃度,且所述第二光轉(zhuǎn)換層中所述第二量子點(diǎn)的濃度大于所述第一光轉(zhuǎn)換層中所述第二量子點(diǎn)的濃度。
在一些實施例中,所述第一光轉(zhuǎn)換區(qū)還包括設(shè)置在所述第二光轉(zhuǎn)換層的出光方向一側(cè)的第三光轉(zhuǎn)換層;所述第三光轉(zhuǎn)換層中所述第一量子點(diǎn)的濃度小于所述第二光轉(zhuǎn)換層中所述第一量子點(diǎn)的濃度,且所述第三光轉(zhuǎn)換層中所述第二量子點(diǎn)的濃度大于所述第二光轉(zhuǎn)換層中第二量子點(diǎn)的濃度;以及
所述第一光轉(zhuǎn)換層的厚度小于所述第二光轉(zhuǎn)換層的厚度;所述第二光轉(zhuǎn)換層的厚度小于所述第三光轉(zhuǎn)換層的厚度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





