[發明專利]存儲器及其控制系統

在審

• 申請號: 202111192916.8
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN113934372A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 王曉娟;李建平;劉峻;付祥
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

本發明提供了一種存儲器及其控制系統。通過將多個存儲陣列模塊分別布置在外圍電路的兩側，使得外圍電路能夠在多個存儲陣列模塊之間為各個存儲陣列模塊提供電源。如此，即有利于縮減第一導電主線和第二導電主線的長度，有效降低了所產生的電源壓降，并且還可以進一步增加存儲器中存儲陣列模塊的數量，以使得存儲器的存儲容量得到提升。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其控制系統。

背景技術

存儲器(例如，相變存儲器PCM)通常包括設置有多個存儲陣列模塊的核心區和外圍電路，該核心區中的存儲陣列模塊主要用于儲存數據，而外圍電路主要用于對核心區中的存儲陣列模塊的存儲操作進行控制，以及還用于為核心區內的存儲陣列模塊提供電源。

目前的存儲器中，通常是將多個存儲陣列模塊集中在一個核心區內，并利用設置在核心區外側的外圍電路統一供給電源。然而，隨著信息技術的飛速發展對存儲器的存儲容量的需求也隨之增加，當存儲器的存儲容量增大時，其核心區內布置的存儲陣列模塊的數量也相應的增多，此時由外圍電路為各個存儲陣列模塊提供電源時，隨著存儲陣列模塊距離外圍電路越遠，累積產生的壓降也隨著增加，從而使得提供至遠端的存儲陣列模塊的電壓也隨之降低。

因此，為了確保核心區內遠端的存儲陣列模塊也能夠接收到滿足要求的電源，即導致了核心區中的存儲陣列模塊的數量受到限制，而難以進一步增大存儲器的存儲容量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器及其控制系統，以解決現有的存儲器受到電源壓降的影響而難以進一步優化的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種存儲器的控制系統，包括：外圍電路，沿著第一方向延伸設置；第一核心區和第二核心區，分別設置在所述外圍電路的兩側，并且所述第一核心區和所述第二核心區中均設置有多個存儲陣列模塊，多個存儲陣列模塊沿著第二方向依次排布，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；以及，第一導電主線和第二導電主線，所述第一導電主線和所述第二導電主線連接所述外圍電路，并從所述外圍電路沿著第二方向分別往相互背離的方向延伸，以分別延伸至所述第一核心區和所述第二核心區中，所述第一導電主線在所述第一核心區中的多個存儲陣列模塊的上方延伸并連接對應的存儲陣列模塊，所述第二導電主線在所述第二核心區中的多個存儲陣列模塊的上方延伸并連接對應的存儲陣列模塊。

可選的，所述第一核心區內的存儲陣列模塊的數量和所述第二核心區內的存儲陣列模塊的數量相同。

可選的，所述控制系統還包括：均設置在所述外圍電路中的電源連接墊和導電總線，所述電源連接墊用于與供應電源連接，所述導電總線與所述電路連接墊連接并沿著第一方向延伸，以及所述第一導電主線和所述第二導電主線均電性連接所述導電總線。

可選的，所述電源連接墊和導電總線均設置在第一結構層中，并在第一結構層下方的第二結構層中還設置有第一傳導線，所述第一傳導線的兩端連接所述電源連接墊和所述導電總線。

可選的，所述第一導電主線、所述第二導電主線和所述導電總線均設置在第一結構層中，并在第一結構層下方的第二結構層中還設置有多條第二傳導線，部分第二傳導線的兩端連接所述第一導電主線和所述導電總線，另一部分第二傳導線的兩端連接所述第二導電主線和所述導電總線。

可選的，所述第一導電主線、所述第二導電主線和所述導電總線的寬度均大于所述第二傳導線的寬度。

可選的，所述電源連接墊設置在所述外圍電路靠近任一核心區的側邊，或者所述電源連接墊設置在所述外圍電路的中心區域。

可選的，所述電源連接墊設置在所述外圍電路的中心區域，并且在所述電源連接墊的兩側分別設置有所述導電總線。