[發明專利]一種近紫外非線性功能材料的制備方法及其應用在審
| 申請號: | 202111192686.5 | 申請日: | 2021-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN114059168A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 鄒國紅;董雪華 | 申請(專利權)人: | 四川大學 |
| 主分類號: | C30B29/46 | 分類號: | C30B29/46;C30B7/14;G02F1/355 |
| 代理公司: | 深圳至誠化育知識產權代理事務所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 劉英 |
| 地址: | 610000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紫外 非線性 功能 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,包括以下具體步驟:
S1、按摩爾比為1:1:2:1稱取SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2;
S2、將SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2加入去離子水中,得到混合液A;
H2O2和SeO2發生氧化還原反應,得到Se6+;混合液A的PH值小于7;
S3、將混合液A加入聚四氟乙烯反應內襯中,套入不銹鋼外殼后擰緊,將其置于恒溫環境下保溫;
S4、取出聚四氟乙烯反應內襯,冷卻至室溫后打開聚四氟乙烯反應內襯,得到毫米級無色透明晶體,其分子式為Rb2Sb2F6SeO4;
Rb2Sb2F6SeO4晶體的晶胞參數為:
α=γ=90°,
z=2;
Rb2Sb2F6SeO4晶體的單胞體積為
2.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,S2中向去離子水加入SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2的同時,向去離子水中加入HF。
3.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,S3中加熱保溫的溫度為85℃,保溫時間為2天。
4.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,S4中得到毫米級無色透明晶體后用蒸餾水進行沖洗。
5.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,Rb2Sb2F6SeO4晶體的紫外吸收邊為254nm;
Rb2Sb2F6SeO4晶體的透明區間為0.254μm~10μm。
6.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,相同粒徑的Rb2Sb2F6SeO4晶體和KDP晶體在Kurtz粉末倍頻測試狀態下,Rb2Sb2F6SeO4晶體的倍頻效應是KDP晶體的0.5倍。
7.根據權利要求1所述的一種近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,Rb2Sb2F6SeO4晶體在546nm狀態下具有0.11的雙折射率。
8.一種近紫外非線性功能材料的應用,包括權利要求1-7任一項近紫外非線性功能材料的制備方法,其特征在于,采用近紫外非線性功能材料的制備方法制得的Rb2Sb2F6SeO4晶體用于制備固體激光器。
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