[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202111191803.6
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN114068458A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

襯底；

線路層，位于所述襯底上，所述線路層包括介電層以及位于所述介電層中的貫通孔，所述貫通孔包括：

第一金屬環；

第二金屬環，位于所述第一金屬環上；

內部通孔，位于所述第一金屬環的第一開口及所述第二金屬環的第二開口中，所述內部通孔電連接所述襯底；

種子層，位于所述第一金屬環、所述第二金屬環與所述內部通孔之間，所述種子層具有階梯狀輪廓。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述種子層還位于所述第二金屬環的上表面上。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，

所述介電層具有暴露所述第一金屬環、所述第二金屬環的內側壁和部分上表面的凹槽，所述種子層的部分共形于所述凹槽及由所述凹槽暴露的所述第一金屬環、所述第二金屬環。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：

黏著層，位于所述襯底和所述線路層之間，所述種子層和所述內部通孔穿過所述黏著層并電連接所述襯底。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一金屬環和所述第二金屬環通過所述介電層隔開。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述內部通孔的最大橫向尺寸大于所述第一金屬環和所述第二金屬環的橫向尺寸。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述內部通孔的最大橫向尺寸小于所述第一金屬環和所述第二金屬環的橫向尺寸。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一金屬環具有第一開口，所述第二金屬環具有第二開口，所述第一開口位于所述第二開口的沿豎直方向的投影的范圍內。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一金屬環、所述第二金屬環的與所述種子層接觸的表面比所述第一金屬環、所述第二金屬環各自的與所述介電層接觸的表面的粗糙度大。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，所述內部通孔具有位于所述第二金屬環上方的第一部分、位于所述第一部分下并且位于所述第一金屬環上方的第二部分以及位于所述第二部分下方的第三部分，所述第一部分的橫向尺寸大于所述第二部分的橫向尺寸，所述第二部分的橫向尺寸大于所述第三部分的橫向尺寸。