[發(fā)明專利]一種絕緣體上硅場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111189758.0
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN113644122B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘俊
• 申請（專利權(quán)）人: 南京元絡芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 朱遠楓

1.一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底的表面上具有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有源區(qū)域；所述半導體襯底上位于有源區(qū)域的兩側(cè)設(shè)置隔離層；

所述有源區(qū)域上方設(shè)置絕緣柵極介電層，所述絕緣柵極介電層上形成多晶硅柵極；

所述有源區(qū)域的表面設(shè)置漏極區(qū)域和源極區(qū)域，所述漏極區(qū)域和源極區(qū)域分布在所述多晶硅柵極的兩側(cè)；

所述有源區(qū)域上距離多晶硅柵極寬度較長的端部最近的位置設(shè)置基極觸點；

所述多晶硅柵極的寬度從距離基極觸點最近的端部向遠離基極觸點的端部位置單調(diào)遞減。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述多晶硅柵極為梯形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述梯形為直角梯形或者等腰梯形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述多晶硅柵極的側(cè)邊為弧形。

5.一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面上具有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有源區(qū)域；所述半導體襯底上位于有源區(qū)域的兩側(cè)設(shè)置隔離層；

所述有源區(qū)域上方設(shè)置絕緣柵極介電層，所述絕緣柵極介電層上形成多晶硅柵極；

所述有源區(qū)域的表面設(shè)置漏極區(qū)域和源極區(qū)域，所述漏極區(qū)域和源極區(qū)域分布在所述多晶硅柵極的兩側(cè)；

所述多晶硅柵極的兩個端部的長度均比中間部位長，有源區(qū)域上距離多晶硅柵極兩個端部最近的位置分別設(shè)置基極觸點；

所述多晶硅柵極的寬度從距離基極觸點最近的兩個端部向中間部位單調(diào)遞減。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，多晶硅柵極端部的寬度L2和多晶硅柵極中間部位的寬度L1的最佳比例如下列公式表示：

其中f(d),h(t),y(w)分別是體摻雜濃度d、體上硅厚度 t和柵極寬度w的單調(diào)上升函數(shù)，a為根據(jù)不同應用需求設(shè)定的調(diào)整參數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述多晶硅柵極的形狀由兩個對稱的圖形組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述圖形為梯形。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述梯形為直角梯形或者等腰梯形。

10.根據(jù)權(quán)利要求5~權(quán)利要求7任意一項權(quán)利要求所述的一種絕緣體上硅場效應晶體管，其特征在于，所述多晶硅柵極的側(cè)邊為弧形。