[發(fā)明專利]羥乙基磺酸在清除吸附型底棲硅藻中的應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111188620.9 | 申請日： | 2021-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN113973799A | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝恩義;黃博文;崔建軍;黃永健;陳心怡 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東海洋大學 |
| 主分類號： | A01M21/04 | 分類號： | A01M21/04;A01G33/00;A01N41/04 |
| 代理公司： | 深圳市創(chuàng)富知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44367 | 代理人： | 葉燦才 |
| 地址： | 524088 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 乙基 清除 吸附 型底棲 硅藻 中的 應用 | ||
1.羥乙基磺酸在清除吸附型底棲硅藻中的應用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應用，其特征在于，所述吸附型底棲硅藻包括新月菱形藻。
3.一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，以羥乙基磺酸作為殺藻劑來清除吸附型底棲硅藻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，往吸附型底棲硅藻的生長水域中添加一定濃度的羥乙基磺酸作為殺藻劑，從而達到清除吸附型底棲硅藻的目的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，所述羥乙基磺酸的終濃度為1-3mM/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，所述羥乙基磺酸的終濃度為3mM/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，所述吸附型底棲硅藻包括新月菱形藻。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，所述吸附型底棲硅藻的生長水域為海藻養(yǎng)殖的海水區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種清除吸附型底棲硅藻的方法，其特征在于，所述吸附型底棲硅藻的生長水域的水溫為22±1℃，鹽度為30±1‰，pH為7.0-8.5。
10.權(quán)利要求3-9任一項所述的清除吸附型底棲硅藻的方法在海藻養(yǎng)殖中的應用。
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