[發明專利]一種晶鉆大理石瓷質磚及其制備方法

有效

• 申請號: 202111188583.1
• 申請日: 2021-10-12
• 公開（公告）號: CN113999054B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 張松竹;李萬平;尹偉;袁廣平;陳琴云
• 申請（專利權）人: 廣東清遠蒙娜麗莎建陶有限公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C03C8/02;C03C8/04
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;牛彥存

1.一種晶鉆大理石瓷質磚的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

在坯體表面施高溫啞光面釉；

在施高溫啞光面釉后的坯體表面噴墨打印設計圖案；

在噴墨打印設計圖案后的坯體表面噴固定劑并定位布晶鉆干粒；所述晶鉆干粒的原料組成包括：以質量百分比計，氧化鋯 65～75%、石英 10～20%、氧化鉿 0.5～6%、燒滑石 10～15%；所述晶鉆干粒的施加量為 100～300 g/m²；

在布晶鉆干粒后的坯體表面施高透明拋釉；所述高透明拋釉的化學成分包括：以質量百分比計，燒失：5.1～8.7%、SiO₂：50.3～60.5%、Al₂O₃：10.4～16.3%、CaO：5.5～10.3%、MgO：2.8～6.2%、K₂O：1.1～3.4%、Na₂O：2.3～5.1%、ZnO：3.7～7.6%、SrO：1.8～4.5%、B₂O₃：3.2～6.6%；所述高透明拋釉的比重為1.82～1.86 g/cm³，施加量為550～750g/m²；

將施高透明拋釉后的坯體燒成并拋光，得到所述晶鉆大理石瓷質磚。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述晶鉆干粒的化學成分包括：以質量百分比計，燒失：1.1～3.6%、SiO₂：15.2～25.6%、ZrO₂：65.3～75.6%、HfO₂：0.5～5.5%、MgO：3.8～8.2%。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述晶鉆干粒的粒徑為180～380微米。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高透明拋釉的施加方式為淋釉。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高溫啞光面釉的化學成分包括：以質量百分比計，SiO₂：54.6～62.8%、Al₂O₃：18.3～24.5%、堿土金屬氧化物：2.4～7.9%、堿金屬氧化物：3.4～9.2%、ZrO₂： 4.8～10.7%。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高溫啞光面釉的施加方式為噴釉，比重為1.42～1.46g/cm³，施加量為600～800 g/m²。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高透明拋釉的始融溫度為1020～1060℃。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的制備方法獲得的晶鉆大理石瓷質磚。