[發明專利]一種高三階交調點的場效應晶體管射頻放大器有效

申請號：	202111185458.5	申請日：	2021-10-12
公開（公告）號：	CN113904635B	公開（公告）日：	2023-08-11
發明（設計）人：	蒲顏;熊翼通;黃亮;朱海;聶榮鄒;萬開奇;王國強	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第二十四研究所
主分類號：	H03F3/193	分類號：	H03F3/193;H03F1/34
代理公司：	重慶輝騰律師事務所 50215	代理人：	王海軍
地址：	400060 ***	國省代碼：	重慶;50
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高三階交調點場效應晶體管射頻放大器
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【權利要求書】：

1.一種高三階交調點的場效應晶體管射頻放大器，其特征在于，包括輸入偏置網絡、輸入匹配網絡、放大電路、輸出匹配網絡、輸出偏置網絡、輸入端、輸出端和電源端，高三階交調點的場效應晶體管射頻放大器的輸入端與輸入匹配網絡的輸入端連接，輸入匹配網絡的輸出端分別作為輸入偏置網絡以及放大電路的第一輸入，用于與放大電路的輸入級端口匹配；輸入偏置網絡輸出端作為放大電路的第二輸入，為放大電路的第一級放大晶體管柵極提供偏置；放大電路的第一輸出端與輸出匹配網絡的第一輸入端連接；放大電路的第二輸出端經過輸出偏置電路進行偏置處理后作為輸出匹配網絡的第一輸入端；電源端與輸出匹配網絡的第二輸入端連接；輸出匹配網絡的輸出作為高三階交調點的場效應晶體管射頻放大器的輸出端；放大電路包括場效應晶體管M₁、場效應晶體管M₂、電阻R₂、電阻R₅、電阻R₆、電容C₃、電感L₂、電感L₃、二極管D₁、二極管D₂，場效應晶體管M₁的柵極與電阻R₂的一端和放大電路的第一輸入端連接，場效應晶體管M₁的漏極與場效應晶體管M₂的源極相連，場效應晶體管M₁的源極與電感L₂的一端相連；所述電感L₂的另一端接地；所述電阻R₂的另一端與電容C₃的一端相連；所述電容C₃的另一端與電阻R₅的一端、二極管D₁的N端和放大電路的第二輸入端連接；所述電阻R₅的另一端與電阻R₆的一端、電感L₃的一端和場效應晶體管M₂的漏極相連；所述電阻R₆的另一端與二極管D₁的P端與二極管D₂的N端相連；所述二極管D₂的P端與所述電感L₃的另一端和放大電路的第一輸出端連接；所述場效應晶體管M₂的柵極與放大電路的第二輸出端相連。