[發明專利]一種反激式轉換器的控制方法、裝置及電子設備

有效

• 申請號: 202111183306.1
• 申請日: 2021-10-11
• 公開（公告）號: CN113992019B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 熊新;東偉;盛琳
• 申請（專利權）人: 茂睿芯（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 吳冬羽

1.一種反激式轉換器的控制方法，其特征在于，包括：

當檢測到所述反激式轉換器的副邊繞組模塊處于最小導通時間時，根據所述副邊繞組模塊的去磁時間和所述最小導通時間確定所述副邊繞組模塊的目標關斷時間；

控制所述副邊繞組模塊在所述目標關斷時間內關斷；

所述當檢測到所述反激式轉換器的副邊繞組模塊處于最小導通時間時，根據所述副邊繞組模塊的去磁時間和所述最小導通時間確定所述副邊繞組模塊的目標關斷時間，包括：

當檢測到所述去磁時間小于所述最小導通時間時，將第一預設關斷時間確定為所述目標關斷時間；

當檢測到所述去磁時間大于或等于所述最小導通時間時，將第二預設關斷時間確定為所述目標關斷時間；所述第二預設關斷時間小于所述第一預設關斷時間。

2.如權利要求1所述的反激式轉換器的控制方法，其特征在于，所述目標關斷時間大于所述反激式轉換器的諧振周期。

3.如權利要求2所述的反激式轉換器的控制方法，其特征在于，所述諧振周期根據以下公式計算得到：

；

其中，T表示所述諧振周期，表示所述反激式轉換器的勵磁電感感量，表示所述反激式轉換器的等效寄生電容；所述等效寄生電容包括所述反激式轉換器的原邊繞組模塊的第一MOS管的寄生電容、所述副邊繞組模塊的第二MOS管的寄生電容及變壓器的寄生電容。

4.如權利要求1所述的反激式轉換器的控制方法，其特征在于，所述當檢測到所述反激式轉換器的副邊繞組模塊處于最小導通時間時，根據所述副邊繞組模塊的去磁時間和所述最小導通時間確定所述副邊繞組模塊的目標關斷時間之前，還包括：

將所述反激式轉換器的勵磁電感感量、所述反激式轉換器的峰值電流及輸出電壓導入預設公式，得到所述去磁時間；所述預設公式如下：

；

其中，t表示所述去磁時間，表示所述勵磁電感感量，表示所述峰值電流，表示所述輸出電壓，n表示所述反激式轉換器中原邊繞組與副邊繞組的匝數之比。

5.如權利要求1-4任一項所述的反激式轉換器的控制方法，其特征在于，所述當檢測到所述反激式轉換器的副邊繞組模塊處于最小導通時間時，根據所述副邊繞組模塊的去磁時間和所述最小導通時間確定所述副邊繞組模塊的目標關斷時間，包括：

根據所述反激式轉換器的工作模式、所述去磁時間及所述最小導通時間確定所述目標關斷時間。

6.一種反激式轉換器的控制裝置，其特征在于，包括：

第一確定單元，用于當檢測到所述反激式轉換器的副邊繞組模塊處于最小導通時間時，根據所述副邊繞組模塊的去磁時間和所述最小導通時間確定所述副邊繞組模塊的目標關斷時間；

控制單元，用于控制所述副邊繞組模塊在所述目標關斷時間內關斷；

所述第一確定單元包括：

第一時間確定單元，用于當檢測到所述去磁時間小于所述最小導通時間時，將第一預設關斷時間確定為所述目標關斷時間；

第二時間確定單元，用于當檢測到所述去磁時間大于或等于所述最小導通時間時，將第二預設關斷時間確定為所述目標關斷時間；所述第二預設關斷時間小于所述第一預設關斷時間。

7.一種電子設備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1至5任一項所述的反激式轉換器的控制方法的步驟。

8.一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1至5任一項所述的反激式轉換器的控制方法的步驟。